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上海理工大学在太赫兹频段人工粒子的Fano效应研究中取得重要进展（图）
上海理工大学 太赫兹频段 人工粒子 Fano效应
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2017/4/7
上海理工大学太赫兹技术创新研究院在庄松林院士的带领下与美国俄克拉荷马州立大学张伟力教授，南洋理工大学Ranjan Singh教授以及东南大学崔铁军教授合作，在太赫兹频段人工粒子的Fano效应中取得重要进展。该研究通过在周期结构金属粒子中巧妙引入缺陷，实现了高Q值的多极子Fano效应的激发（图1），其FoM（Fano强度与Q值的乘积）是普通的分裂环微腔结构（SRR）的2.5倍。利用这种人工粒子，不仅...