搜索结果: 1-5 共查到“物理学 MOCVD”相关记录5条 . 查询时间(0.191 秒)
Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT电学和结构性质的影响
Al组分 AlGaN 高电子迁移率晶体管 电学性质 MOCVD
font style='font-size:12px;'>
2014/3/16
采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）方法制备了不同Al组分（x=0.19，0.22，0.25，0.32）的AlxGa1-xN/AlN/GaN 结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）材料。研究了AlxGa1-xN势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明，在一定的Al组分范围内，二维电子气（2DEG）浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而，过高的Al组分导致HEM...
N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长
氮化镓 氮极性 成核层 金属有机物化学气相沉积
font style='font-size:12px;'>
2013/11/30
采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。通过X射线双晶衍射(XRD)摇摆曲线和光致荧光(PL)谱测试研究了成核层生长时间对N极性GaN薄膜晶体质量和发光性能的影响。研究结果表明,成核层生长时间为300 s时,N极性GaN薄膜样品的位错密度最低,发光性能最好。采用拉曼(Raman)光谱对样品的应变状态进行了分析。
Properties of recent IBAD-MOCVD Coated Conductors relevant to their high field, low temperature magnet use
Properties high field, low temperature magnet use
font style='font-size:12px;'>
2010/11/18
BaZrO3 (BZO) nanorods are now incorporated into production IBAD-MOCVD coated conductors. Here we compare several examples of both BZO-free and BZO-containing coated conductors using critical current (...
Effect of buffer layer thickness and epilayer growth temperature on crystalline quality of InAs0.9Sb0.1 grown by MOCVD
InAs0.9Sb0.1 MOCVD Two-step growth method
font style='font-size:12px;'>
2011/12/15
InAs0.9Sb0.1 epilayers are grown on GaAs (001) substrates by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). In order to relax compressive strain caused by lattice mismatch between InAs0.9Sb0.1 and G...
应变量子阱传输矩阵法设计及MOCVD外延设备
font style='font-size:12px;'>
2007/7/28
专著信息
书名
应变量子阱传输矩阵法设计及MOCVD外延设备
语种
中文
撰写或编译
作者
盖红星,邓军,李建军,韩军,俞波,牛南辉,沈光地,陈建新
第一作者单位
出版社
固体电子学研究与进展, 24(4), 526, 2004
出版地
出版日期
2004年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
新型可调谐高效多源纵向光耦合垂直腔面发射激光器研制