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上海技术物理研究所InGaAs/InP APD结构的SCM研究获进展
上海技术物理研究所 InGaAs/InP APD结构 SCM
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2009/11/26
近日，中国科学院上海技术物理研究所有关InGaAs/InP 雪崩二极管（APD）结构的扫描电容显微方法（SCM）研究工作发表在《应用物理快报》（Applied Physics Letters）上（59卷, 093506），该工作得到了技物所三期创新项目资助。