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中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室成昭华课题组利用分子束外延技术生长出高质量的铁电Rashba半导体薄膜α-GeTe。前期的角分辨光电子能谱（ARPES）测量结果显示，α-GeTe同时具有表面和体Rashba能带结构，其体Rashba系数可至~4.3 eVÅ，对应的自旋劈裂能高达~2300 KBT【Xu Yang et al., Nano Lett. 21...
中国科学院物理研究所揭示能带填充状态对二维电子气Rashba自旋-轨道耦合的影响（图）
中国科学院物理研究所 填充状态 二维电子气 Rashba 自旋-轨道耦合
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2019/1/31
针对如何获得自旋极化二维电子气，如何实现对电子气的高效调控等问题，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室孙继荣团队展开了系统深入的研究，先后发现光激发与栅极电压结合会产生协同效应，使栅极电压对界面电子气的调节效应强化了两个量级（Nat. Commun. 5, 5554 (2014)）。随后，他们利用EuO对二维电子气的磁邻近效应，成功地在EuO/KTaO3界面获得了强磁...
Rashba spin-orbit effect on traversal time in ferromagnetic/semiconductor/ferromagnetic heterojunction
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2007/7/28
期刊信息
篇名
Rashba spin-orbit effect on traversal time in ferromagnetic/semiconductor/ferromagnetic heterojunction
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
Han-Chun Wu,Yong Guo,Xin-Yi Chen,Bing-Lin Gu
第一作者单位
清华大学
刊物名称
Journal o...