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中国科学院微电子所在铪基铁电存储器芯片研究领域取得重要进展（图）
芯片 晶体 器件
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2024/2/29
基于Zr掺杂HfO2（HZO）材料的铁电存储器有望通过后道工艺进行大规模阵列集成，但仍存在两个关键的优化问题：一方面，HZO的最佳退火温度仍高于后道工艺的热预算限制（为保证前道工艺制备的晶体管及互联金属的可靠性，通常后道工艺的热预算通常被限制在400℃以下）；另一方面，对于器件在先进工艺节点中的应用，以及降低器件的写操作功耗，需要降低HZO铁电器件的操作电压。
苏州医工所马汉彬团队在高分辨有源数字微流控芯片上成功实现单细胞分选和操控（图）
马汉彬 数字微流控 芯片系统 单细胞分选 薄膜晶体管
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2023/7/20
2023年4月27日，中国科学院苏州生物医学工程技术研究所马汉彬研究员课题组与广东奥素液芯微纳科技有限公司合作，成功研发出了一套基于大面积薄膜晶体管开关阵列的有源数字微流控平台(Active-Matrix Digital Microfluidics, AM-DMF)，并且基于AM-DMF技术实现了单细胞液滴样本的高效生成、操控和片上培养。相关研究成果以 Large-Area Electronics...