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4H-SiC探测器的快中子产额测量可行性研究     4H-SiC  快中子产额测量  注量响应       font style='font-size:12px;'> 2022/3/22
为了验证4H-SiC探测器用于快中子产额测量的可行性,利用强流氘氚聚变中子发生器(HighIntensityDeuterium-TritiumFusionNeutronGenerator,HINEG)测试了4H-SiC探测器的主要性能。实验获得了探测器的脉冲幅度谱,高能段反应特征峰清晰可辨,12C(n,α0)9Be特征峰的半峰全宽(FullWidthatHalfMaximum,FWHM)为190?...
主要研究了铅离子辐照注碳4HSiC样品在3个不同退火温度下傅立叶变换红外光谱的变化。从红外谱的变化可以知道铅辐照注碳4H-SiC样品在一定深度内出现了非晶层,波数在960—1450cm^-1范围内出现了干涉带,干涉带强度随着退火温度的升高而 变弱。1373K退火后样品的卢瑟福背散射分析结果显示,一定深度内硅原子的背散射产额明显减少。

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