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Layered growth modelling of epitaxial growth processes for SiC polytypes           font style='font-size:12px;'> 2007/7/28
期刊信息 篇名 Layered growth modelling of epitaxial growth processes for SiC polytypes 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 Z. Q. Liu and J. Ni 第一作者单位 清华大学 刊物名称 J.Phys.: Condens. Matter 页面 17, 5355 (2005). 出版日期 2005年 月 日 文章标识...

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