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ICP-AES研究纳米TiO2材料对Ga, In, Tl的吸附性能
纳米二氧化钛 吸附 ICP-AES Ga In Tl 分离富集
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2010/3/23
研究了纳米TiO2材料对Ga，In，Tl的吸附性能，考察了吸附动力学、最佳酸度、富集倍数和吸附容量，确定了待测金属离子的最佳吸附条件。实验结果表明： 在最佳pH条件下，Ga, In, Tl能定量、快速地被吸附在纳米TiO2材料上;其静态吸附容量为： Ga 48.6 mg·g-1，In 46.6 mg·g-1和 Tl 23.4 mg·g-1;被吸附在纳米TiO2上的金属离子能采用 0.1 mol·L...