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退火时间对6H-SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和结构的影响
石墨烯 6H-SiC 退火时间 RHEED AFM Raman NEXAFS
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2009/12/7
在分子束外延(MBE)设备中, 采用高温退火的方法在6H-SiC表面外延石墨烯, 并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响. 利用反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)等实验技术对制备的样品进行了表征. RHEED结果发现, 不同退火时间的样品在SiC衍射条纹的外侧都出现了石墨烯的衍射条纹. AFM测试表明,...
6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性
量子阱 碳化硅 固源分子束外延 反射高能电子衍射 光致发光
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2010/1/12
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术, 在1350K的衬底温度下, 通过改变Si束流强度, 在6H-SiC(0001)面上外延生长6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜, 并用反射高能电子衍射(RHEED)与光致发光(PL)谱对生长的薄膜的晶型和发光特性进行表征. RHEED 结果显示生长的薄膜为6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜. 室温下He-Gd激光激...