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报道了半花菁染料LB膜铁电性与膜厚度的依赖性.根据所测得的电滞回线发现,矫顽电场(Ec)随薄膜厚度(以薄膜的层数N表示)的增加而减少,在薄膜厚度为30～200 nm的范围内,它们之间的关系可用幂指数公式表示为Ec∝N－4/3,这种关系与其它传统的无机铁电材料完全相同.通过样品介电和铁电性能的测量,以存贮元件的物理参量－优值(Ps/εrEc)作为参比标准,可得铁电半花菁染料LB膜的最佳厚度为60 n...
CdS纳米微粒在LB膜层隙聚集形态的AFM观察
原子力显微镜(AFM) LB膜 纳米微粒
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2009/12/10
CdS纳米微粒在LB膜层隙聚集形态的AFM观察。
具有长侧碳链的苯醌类化合物在LB膜上的电化学行为
LB膜 循环伏安法 质体醌 泛醌
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2009/12/9
具有长侧碳链的苯醌类化合物在LB膜上的电化学行为。
表面离子法制备多组分LB膜和CeO_2-Gd_2O_3陶瓷膜
氧化铈 氧化钆 螯合物 臭氧 热处理 X射线光电子谱法 陶瓷
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2007/12/20
摘要 以铈、钆的β二酮螯合物Ce(tmhd)_4和Gd(tmhd)_3(tmhd = tetramethylheptanedionate)为表面离子，与花生酸（AA）在水面上共铺展，可 形成具有良好相容性、稳定性和可压缩性的混合Langmuir膜，这是由于稀土螯合物 与AA间发生了新的配合，而且Gd(tmhd)_3与AA间的相互作用更强。用垂直法将它们 的三组分混合Langmuir膜沉积，制得了具...
长链香豆素LB膜对n-Si/Ni液结上的光致电荷转移的影响
硅 镍 香豆素 P 电沉积 化学修饰电极 硬脂酸 P 电荷转移 半导体电极 Ｌ-Ｂ膜 电化学性质
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2007/12/13
摘要 本文研究了由硬脂酸香豆素制得的LB膜对n-Si/Ni电极性能的修饰作用.该LB膜沉积方式是Z型的,成膜之后吸收蓝移(由343nm移至325nm).在60mW·cm^-2溴钨灯光照下,n-Si/Ni/3LB/Fe(CN) /Pt电池的光电转换效率增大了一倍,稳定性亦有明显改善.交流阻抗测量表明,光照使n-Si/Ni/3LB电极的电解电阻大大减小,实验结果表明,硬脂酸香豆素LB膜对n-Si/N...