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势垒高度对GaAs/AlxGa1-xAs QWIP光谱特性的影响
量子阱红外探测器 高分辨透射扫描电镜 GaAs/AlxGa1-xAs 峰值波长
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2016/8/16
为了确定束缚态到准束缚态工作模式QWIP响应波长与势垒高度关系,采用金属有机物化学气相沉积法生长制备势垒高度不同GaAs/AlxGa1-xAs QWIP样品,采用傅里叶光谱仪对样品进行77 K液氮温度光谱测试。结果显示1#,2#样品峰值响应波长与据薛定谔方程得到峰值波长误差为15.6%,4.6%。结果表明:引起量子阱中子带间距离逐渐扩大与峰值响应波长蓝移的根本原因是势垒高度的增加。高分辨透射扫描电...
分子束外延生长的GaAs-AlxGa1-xAs多层异质结构中的“精细低维调制条纹”的观察
精细低维调制条纹 超晶格 晶格像
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2010/1/18
应用透射式电子显微镜观察了GaAs-AlxGa1-xAs多层异质结结构中的“精细低维调制条纹”。在邻近GaAs-AlxGa1-xAs超晶格层的缓冲层中和与这缓冲层邻近的GaAs-AlxGa1-xAs超晶格层的小区域中发现了等宽度的“精细低维调制条纹”,其宽度为9.1Å的GaAs条纹,12Å的AlxGa1-xAs条纹。文中介绍了用显微密度计获得的这些条纹的密度分布结果。同时还...