搜索结果: 1-9 共查到“材料科学 CuO”相关记录9条 . 查询时间(0.109 秒)
针对复合推进剂中超细AP (高氯酸铵)易吸湿、团聚以及纳米催化剂易团聚的问题,在不引入非推进剂配方成分的前提下,制备了纳米CuO/ AP/ HTPB (端羟基聚丁二烯) 复合颗粒。先采用新颖的陶瓷膜-反溶剂法制备纳米CuO/ AP 复合颗粒,然后采用溶剂蒸发法在其表面包覆HT- PB,制得纳米CuO/ AP/ HTPB 复合颗粒。采用SEM、HRTEM、FT-IR、ICP 和XRD 等手段对复合颗...
CuO--TiO2复合助剂低温烧结氧化铝陶瓷的机理(I)
无机非金属材料 氧化铝 烧结助剂
font style='font-size:12px;'>
2009/10/16
向氧化铝陶瓷中添加总量固定、但m(CuO)/m(TiO2)不同的CuO--TiO2复合助剂, 研究其对氧化铝陶瓷烧结性能、微观结构以及物相组成的影响, 揭示复合助剂的低温烧结机理. 结果表明, CuO与TiO2不易发生化合反应, 分别以液相烧结和固相反应烧结来促进氧化铝陶瓷的致密化进程; TiO2与AL2O3反应生成A12Ti7O15的固相烧结, 比CuO的液相烧结更能有效地促进陶瓷的晶粒生长与致...
固定CuO(0.4%)和TiO2(4%)的添加量、改变TiO2(0--32%)和CuO(0--3.2%)的添加量(质量分数, 下同), 研究了CuO--TiO2复合助剂对氧化铝陶瓷烧结性能、微观结构、物相组成以及烧结激活能的影响, 以揭示复合助剂的低温烧结机理。结果表明, 在1150--1200℃TiO2固溶入Al2O3生成Al2Ti7O15相, 并生成大量正离子空位提高了扩散系数, 从而以固相反...
在AZ91D表面SHS反应热喷涂Al-CuO系Al2O3基复相陶瓷涂层
AZ91D镁合金 SHS反应热喷涂 陶瓷涂层
font style='font-size:12px;'>
2010/3/22
采用SHS反应火焰喷涂技术，把Al-CuO系铝热剂引入到喷涂材料中，在AZ91D表面制备了Al2O3基复相陶瓷涂层。结果表明：SHS反应热喷涂层综合性能明显优于传统热喷涂层，传统热喷涂层的热震次数、开气孔率、耐蚀性和耐磨性分别为14次、17.4%、基体的24倍和8.5倍；而反应热喷涂层则分别为40次、15.2%、基体的37倍和10.6倍。若辅以Ni-Al合金打底，喷后重熔工艺可使反应喷涂层的综合性...
CuO/Al反应自生基复合材料及合成动力学研究
复合材料 CuO/Al反应合成 动力学 自生基
font style='font-size:12px;'>
2008/11/7
1.CuO/Al反应自生复合材料的热力学研究。建立了体系的绝热温度的一般表达式，并且从理论上探讨了反应物浓度和反应温度对反应绝热温度的影响。体系的反应温度越高，体系的放热就越大；体系中Al粉含量越少，或体系的反应温度越高，则体系的绝热温度越高。2.CuO/Al合成反应的动力学研究。建立了合成反应的动力学模型和数学方程。3.工艺参数CuO/Al反应过程和相组成的影响。1)适宜的反应温度范围为800-...
Ag/CuO复合材料界面稳定性的第一性原理计算
Ag/CuO复合材料 界面 稳定性 第一性原理
font style='font-size:12px;'>
2010/3/17
通过对银氧化铜复合材料界面第一性原理计算与界面高分辨透射电镜的分析，研究银氧化铜复合材料界面的稳定性。通过对低指数面的银与氧化铜界面的总态密度和界面结合能计算，考察银氧化铜反应合成后最稳定的结合界面，通过高分辨透射电镜分析并对计算结果进行验证。结果表明：银的(110)面与氧化铜的(100)面的结合能最大，容易形成稳定的结合界面，从界面态密度和电子云分布进一步证实此结果；通过高分辨透射电镜分析发现反...
控制表面氧化法制备超疏水 CuO纳米花膜
纳米
font style='font-size:12px;'>
2007/12/13
摘要 采用含有过硫酸钾氧化剂和氢氧化钾的水溶液处理金属铜表面, 再经空气中加热后, 在铜表面上得到了一层具有花朵状纳米结构的CuO膜. 每朵纳米花由数十个长约2μm、宽约120nm、厚约12nm的CuO纳米片自组装而成. 纳米花膜经氟化处理后表现出超疏水性, 接触角达到约158°. 文中初步提出了纳米花形态的生长机制, 并用Cassie理论对膜的润湿性进行了分析.
CuO、MoO3和WO3掺杂对NiZn铁氧体磁性能的影响
无机非金属材料 起始磁导率 居里温度
font style='font-size:12px;'>
2007/10/26
文章摘要：
研究了CuO、MoO3和WO3掺杂对NiZn铁氧体电磁性能的影响. 研究表明, 适量的CuO掺杂能提高材料烧结密度并降低磁晶各向异性常数, 从而提高材料的起始磁导率, 但居里温度也有一定程度的下降. 当主配方中CuO含量(摩尔分数)为4%时能最好的兼顾材料高磁导率和高居里温度的要求. 而MoO3和WO3掺杂则均能引起晶界附近阳离子空位增多, 从而...