以碳纳米管取代铜　TSV芯片效能更好     碳纳米管  取代  铜  芯片  效能       font style='font-size:12px;'> 2011/12/16

来自瑞典歌德堡的查默斯理工大学的研究人员发现，以碳纳米管来填充采用硅穿孔技术(TSV)连结的3D芯片堆栈，效果会比铜来得更好。TSV是将芯片以3D堆栈方式形成一个系统，而非将它们平行排列在电路板上，以提高芯片之间通讯的速度；但遗憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的铜，却会导致热膨胀的问题，因为铜遇热会比周围的硅材料膨胀更多。

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