搜索结果: 1-3 共查到“信息与通信工程 LNA”相关记录3条 . 查询时间(0.095 秒)
一种应用于数字电视中的CMOS宽带高线性LNA设计
低噪声放大器 宽带 高线性 噪声抵消
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2015/10/29
基于TSMC 0.13 μm CMOS工艺设计了一款应用于数字电视中的CMOS宽带高线性低噪声放大器。该电路采用传统宽带低噪声放大器的改进结构。为了提高LNA的线性度，采用伏尔特拉级数分析了电路的非线性分量，并修正了传统的噪声抵消电路用于抵消整个电路的非线性分量。基于TSMC 0.13 μm CMOS工艺对其进行了设计，仿真结果表明：此LNA在50～860 MHz频带内，增益为12.7～13.3 ...
一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA
RF CMOS 低噪声放大器(LNA) 噪声消除 宽带 可变增益
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2011/5/18
高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势，该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA)，采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配，并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能；输出带有新型6位数字可编程增益控制电路以实现可变增益。采用中芯国际0.13μm RF CMOS工艺流片，芯片面积为0.76 mm2。测试结果表明LNA工作频段为1.1-1.8 GHz，...
分析了具有源级退化电感的CMOS共源共栅结构电路在低频、低功耗LNA设计中存在的缺陷，为满足低频、低功耗设计的要求，现广泛采用在该电路结构基础上再并联栅极电容的结构.今按照噪声系数的定义严格推导了该结构电路的噪声参数表达式，并基于推导的公式分析了该结构在CMOS低频、低功耗LNA设计中的重要应用.最后实现了一个基于0.18 μm CMOS工艺的ISM频段应用的433 MHz LNA的设计，运用Ag...