搜索结果: 1-15 共查到“EUV”相关记录31条 . 查询时间(0.453 秒)
上海光机所在EUV和软x射线首次实现结构涡旋光调控（图）
x射线 结构 激光物理
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2024/5/23
2024年4月15日，中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光物理联合实验室张军勇副研究员联合哈尔滨工业大学赵永蓬教授课题组和上海理工大学詹其文教授课题组，首次完成EUV和软x射线的结构涡旋光调控与实验验证，为极紫外和软x射线波段的结构光刻、结构分束调控，和短波超分辨成像开辟了可行的技术途径。相关成果以“Producing focused extreme ultraviolet vortex w...
上海光机所在EUV和软x射线分束器方面首次取得进展（图）
x射线 分束器 细胞成像
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2024/4/14
2024年3月18日，中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光物理联合实验室张军勇副研究员团队联合哈尔滨工业大学赵永蓬教授课题组首次完成EUV和软x射线分束器的设计与实验验证，该研究有望解决极紫外和x射线波段的衍射成像和干涉传感的分束器受限问题。相关成果以“Azimuthally extreme‑ultraviolet focal splitter by modified spira...
北京大学高鹏团队突破电镜技术 助力国产EUV光刻机（图）
四维电子能量损失谱技术 EUV光刻机 芯片 电镜技术
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2022/4/11
北京大学量子材料科学中心高鹏研究组基于扫描透射电子显微镜发展了四维电子能量损失谱技术，突破了传统谱学手段难以在纳米尺度表征晶格动力学的局限，首次实现了半导体异质结界面处局域声子模式的测量，近日更是被《半导体学报》列为2021年度中国半导体十大研究进展。这项科技成果的诞生，不仅是我国高端科学仪器领域的一个重要突破，更为实现国产EUV光刻机、掌握芯片核心技术、攻克国产半导体核心技术壁垒增添了动力。四维...
中科院研发新型激光光刻技术：不用EUV 直击5nm（图）
激光光刻技术 半导体光刻 激光直写
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2021/9/2
半导体光刻最重要的指标是光刻分辨率，它跟波长及数值孔径NA有关，波长越短、NA越大，光刻精度就越高，EUV光刻机就是从之前193nm波长变成了13.5nm波长的EUV极紫外光，而NA指标要看物镜系统，ASML在这方面靠的是德国蔡司的NA=0.33的物镜，下一代才回到NA=0.55的水平。
2018年SPIEX射线/EUV光学元件进展会议（SPIE Advances in X-Ray/EUV Optics and Components XIII）
2018年 SPIE X射线/EUV光学元件进展 会议
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2017/11/27
Expanding use of x-ray and EUV radiation in many scientific and technical applications requires the continued development of new and improved sources and optics to deliver brighter, better-conditioned...
2018年SPIE极紫外光刻会议（SPIE Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography IX）
2018年 SPIE 极紫外光刻 会议
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2017/10/27
2018年SPIE极紫外光刻会议（SPIE Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography IX）。
2017SPIE EUV，X射线和伽玛射线天文学光学专题会议（Optics for EUV,X-Ray,and Gamma-Ray Astronomy VIII）
2017 SPIE EUV，X射线和伽玛射线天文学光学 专题会议
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2017/4/25
2017SPIE EUV，X射线和伽玛射线天文学光学专题会议（Optics for EUV,X-Ray,and Gamma-Ray Astronomy VIII）。
2017SPIEX射线/EUV光学器件进展专题会议（Advances in X-Ray/EUV Optics and Components XII）
2017 SPIEX 射线/EUV光学器件进展 专题会议
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2017/4/25
2017SPIEX射线/EUV光学器件进展专题会议（Advances in X-Ray/EUV Optics and Components XII）。
2017SPIEX射线和EUV光学计量学进展专题会议（Advances in Metrology for X-Ray and EUV Optics VII）
2017 SPIEX 射线和EUV光学计量学进展 专题会议
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2017/4/25
2017SPIEX射线和EUV光学计量学进展专题会议（Advances in Metrology for X-Ray and EUV Optics VII）。
2017 SPIE X射线和EUV光学计量学进展专题会议（Advances in Metrology for X-Ray and EUV Optics VII）
2017 SPIE X射线 EUV光学计量学进展 专题会议
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2017/4/25
Conference Sessions:1: At-Wavelength Metrology ;2: Metrology of VLS Gratings Technology Hot Topics: How Optics and Photonics Drive Innovation ;3: Calibration and Nanoradian Metrology ;4: Metrology Fac...
2017年SPIE极紫外光刻会议（Extreme Ultraviolet(EUV)Lithography VIII）
2017年 SPIE极紫外光刻 会议
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2017/1/12
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中国科学院上海光学精密机械研究所EUV和X射线波段的三维阵列成像研究取得进展（图）
EUV X射线波段 三维阵列成像
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2021/9/2
中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光物理联合室实验室张军勇课题组首次将古希腊梯子映射到纳米结构中，以解析的数学形式完整描述了三维阵列焦点成像的方法，通过数论解决了结构设计的初始化问题。
为了提高极紫外(EUV)光子计数成像仪的分辨率,分析了EUV成像仪系统WSZ阳极(Wedge Strip Zigzag anode)不同条带间的极间串扰以及非目标能量区间内信号触发产生的伪信号对图像质量的影响。讨论了串扰产生的原因,通过测量极间电容,找到了串扰系数所在的范围,并最终确定最优值;使用该系数对不同能量范围内的光子进行处理,确定了合适的能量区间(上下限)。在设定的能量区间重新成像并与原图...
为提高求矩阵Padé-型逼近解的精确度,给出一种求解矩阵Padé型逼近解的改进算法,即基于矩阵Euv的正交多项式Padé-型逼近算法.另外，当矩阵值幂级数展开式的系数产生微小摄动时,矩阵幂级数的Padé型逼近解变化往往很大,借助误差公式、内积单位矩阵和最小二乘法构造一种稳定性和精确度均有所提高的最小二乘形式矩阵Padé-型逼近算法.最后，对这两种算法分别给出完整的分子和分母行列式表达式.
为了提高极紫外(EUV)光子计数成像仪的分辨率,分析了EUV成像仪系统WSZ阳极(Wedge Strip Zigzag anode)不同条带间的极间串扰以及非目标能量区间内信号触发产生的伪信号对图像质量的影响。讨论了串扰产生的原因,通过测量极间电容,找到了串扰系数所在的范围,并最终确定最优值;使用该系数对不同能量范围内的光子进行处理,确定了合适的能量区间(上下限)。在设定的能量区间重新成像并与原图...