搜索结果: 1-15 共查到“InGaAs”相关记录77条 . 查询时间(0.085 秒)
Discovery半导体公司推出扩展InGaAs PD和光电接收器
Discovery 半导体 InGaAs PD 光电接收器
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2024/10/15
近期，光学接收器、测试仪器和子系统的领先供应商Discovery半导体公司（Discovery Semiconductors Inc.）推出了几种使用其扩展InGaAs光电二极管技术的新产品，用于各种空间应用。这些器件有多种配置：单光电二极管、平衡光电二极管和放大光接收器，采用不同的封装，例如具有K或SMA连接器的光纤耦合蝶形模块，没有同轴连接器的光纤耦合表面贴装技术(SMT)模块，以及具有宽抗反...
室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件
室温工作 高In组分 短波InGaAs 线列探测器 材料 器件
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2023/8/25
室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件。
集成有亚波长光栅的台面型InGaAs基短波红外偏振探测器（图）
集成 亚波长光栅 台面型 InGaAs基 短波红外偏振探测器
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2023/1/5
红外辐射（760nm-30μm）作为电磁波的一种，蕴含着物体丰富的信息。红外光电探测器在吸收物体的红外辐射后，通过光电转换、电信号处理等手段将携带物体辐射特征的红外信号可视化。其具有全天候观测、抗干扰能力强、穿透烟尘雾霾能力强、高分辨能力的特点，在国防、天文、民用领域扮演着重要的角色，是当今信息化时代发展的核心驱动力之一，是信息领域战略性高技术必争的制高点。众所周知，波长、强度、相位和偏振是构成光...
中国科学技术大学科研部高性能InGaAs单行载流子探测器芯片取得重大进展（图）
高性能InGaAs 流子探测器 芯片
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2022/11/14
中国科学技术大学王亮教授和韩正甫教授课题组研发的InGaAs单行载流子探测器芯片取得重大进展。该研究团队通过设计优化表面等离激元结构，开发成功低暗计数、高响应度、高带宽的单行载流子探测器芯片，为近红外探测器性能提升提供了开创性的方法，相关研究成果以“Plasmonic Resonance Enhanced Low Dark Current and High-Speed InP/InGaAs Uni...
上海技物所在平面型延伸波长InGaAs探测器方面取得进展（图）
长InGaAs探测器 高光谱成像
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2023/1/7
2022年10月13日，中国科学院上海技术物理研究所李雪和龚海梅研究员采用闭管扩散的方法成功研制了截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器芯片，并对其相关性能进行了研究。该研究成果对后续进一步优化平面型延伸波长InGaAs焦平面探测器有重要的指导意义，以“截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器”为题发表于《红外与毫米波学报》。
地球观测、多光谱和高光谱成像等应用领域，...
中国科大在InGaAs单光子探测芯片设计制造领域取得重要进展（图）
InGaAs单光子探测芯片 电子工程
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2022/11/16
中国科学技术大学光学与光学工程系王亮教授课题组设计并制备的InGaAs单光子探测器芯片取得重大进展。该研究团队通过设计金属—分布式布拉格反射器优化单光子探测器芯片的光学性能，完成低本征暗计数的单光子探测器芯片的全自主化设计与制备，实现了单光子探测器芯片的全国产化，为解决国家亟需的前沿科技问题迈进了重要一步。相关研究成果以“High performance InGaAs/InP single-pho...
中国科学技术大学物理学院王亮教授课题组在InGaAs单光子探测芯片设计制造领域取得重要进展（图）
单光子探测器芯片 国产化 半导体单光子雪崩二极管 SPAD
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2022/7/6
中国科学技术大学物理学院光学与光学工程系王亮教授课题组设计并制备的InGaAs单光子探测器芯片取得重大进展。该研究团队通过设计金属—分布式布拉格反射器优化单光子探测器芯片的光学性能，完成低本征暗计数的单光子探测器芯片的全自主化设计与制备，实现了单光子探测器芯片的全国产化，为解决国家亟需的前沿科技问题迈进了重要一步。相关研究成果以“High performance InGaAs/InP single...
A study of on-orbit behaviour of InGaAs SWIR Channel Device of IRS-lC/lD LISS-III Camera
radiation signa
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2016/5/20
The Indian Remote 穝ensing Satellite (IRS-I C), at an altitude of 817 Km, completed two years of operation in space
on December 25, 1997. The multi-spectral LISS-3 push-broom camera in IRS -...
多级倍增超晶格InGaAs雪崩光电二级管的增益-噪声特性
修正的弛豫空间理论 多级倍增超晶格InGaAs APD 碰撞电离 弛豫空间长度
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2016/8/2
重点研究了多级倍增超晶格InGaAs雪崩光电二级管(APD)的增益和过剩噪声,建立了新的载流子增益-过剩噪声模型。在常规弛豫空间理论基础上分析了其工作原理,考虑了预加热电场和能带阶跃带来的初始能量效应、电子进入高场倍增区时异质结边界附近的弛豫空间长度修正以及声子散射对碰撞离化系数的影响,提出了用于指导该类APD的增益-过剩噪声计算的修正弛豫空间理论。结果表明:在相同条件下,相比于常规的单层倍增SA...
线阵InGaAs扫描FBG反射谱的传感解调方法
光纤布拉格光栅解调 InGaAs探测器 256像元 中心波长检测 高斯曲线
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2016/7/28
研究并实现了一种基于256像元线阵InGaAs扫描的光纤布拉格光栅传感解调系统。针对线阵InGaAs探测器,分析了光纤光栅反射谱中心波长定位原理,可实现多个FBG光谱的同时解调,单通道解调传感器数量取决于FBG的带宽和中心波长漂移范围。对256个像素点的光谱数据,通过设置的阈值判断反射谱的个数,分别对每一个谱峰进行拟合,基于高斯指数曲线模型实现了寻峰算法,获得了中心波长。搭建FBG解调系统采集光谱...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所InP基无锑量子阱激光器和高铟组分InGaAs材料研究获进展（图）
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 InP基无锑量子阱激光器 高铟组分InGaAs材料
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2015/4/13
2-3微米波段半导体激光器和探测器在航天遥感和气体光谱检测等方面具有重要的应用。中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室研究人员通过对量子阱有源区和分子束外延生长条件的优化，成功研制出波长达2.9微米的激光器，这是当前国际报道的波长最长InP基无锑量子阱激光器。该工作已在Applied Physics Letters 杂志上发表并引起国际广泛关注，国际半导体领域行业杂志Sem...
MSM(金属-半导体-金属)型光电探测器的较低寄生电容和高带宽的特点使得其应用广泛, 可用于空间通信、遥感等多方面, 但暗电流偏大仍是制约其发展的重要因素.为此, 本文研制了100×100 μm2 面积的InGaAs-MSM光电探测器, 通过设计InAlGaAs/InGaAs短周期超晶格和InAlAs肖特基势垒增强结构, 将器件暗电流密度降至0.6 pA/ μm2 (5 V偏置), 改善了目前同类...
可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器
InP/In0.53Ga0.47As 光谱响应 可见光拓展 可见/短波 双波段探测
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2016/8/16
由于标准InP/In0.53Ga0.47As短波红外探测器的响应波段为0.87~1.7 μm,在高性能夜视中具有重要的应用。为了进一步利用夜天光在可见光区间的辐射能量,需要将InP/In0.53Ga0.47As短波探测器的光谱响应拓展到可见光,从而实现包含可见光和短波波段的宽光谱探测。通过特殊的材料设计和背减薄工艺,成功研制了可见光拓展的320×256 InP/InGaAs宽光谱红外探测器。采用增...
InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层厚度设计与计算
标准InGaAs 转移电子光阴极 密度泛函理论
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2016/8/16
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算了InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层材料的电学结构和光学性质,交换关联能采用杂化泛函HSE06来描述。首先对闪锌矿结构GaAs材料能带图进行计算验证,接着建立标准InGaAs材料体结构模型,并对模型进行了动力学的自洽优化,在优化后的基础上进行了非自洽的计算,得到标准InGaAs材料的复介电函数,然后根据Kramers-Kronig关系推出标准I...
973计划“高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证”项目召开年度总结会议
高性能近红外InGaAs探测材料 航天 光电遥感仪器 材料微光敏区 材料结构
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2015/1/20
2014年12月19日，973计划“高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证”项目2014年度总结交流会在上海召开。项目责任专家陈皓明教授、刘治国教授和吕惠宾研究员，项目顾问组和专家组成员匡定波院士、方家熊院士、李爱珍研究员（美国科学院院士）、王曦院士、陆卫研究员、罗豪甦研究员、宋航研究员、宋国峰研究员、上海市科委基础处陈馨副处长，课题负责人以及项目学术骨干和研究生等四十余人参加了...