搜索结果: 1-15 共查到“PECVD”相关记录15条 . 查询时间(0.031 秒)
等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)（图）
等离子体 氮化硅 氧化硅 重点实验室
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2023/8/8
中文名称：等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)，主要功能：沉积制备硅、氮化硅、氧化硅等薄膜。
压强对低频PECVD制备SiNx:H薄膜特性的影响
氮化硅薄膜 压强 钝化 结构特性
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2012/4/5
氢化氮化硅薄膜在晶体硅太阳电池工艺中是一种有效的减反射、钝化薄膜．利用Centrotherm公司的直接法低频PECVD设备在抛光后的p型硅衬底(1.0 Ωcm)表面制作氢化氮化硅,得到了具有较好钝化效果且折射率为2.017～2.082的薄膜．随着压强的增加，薄膜的折射率略有增加．利用傅里叶变换红外光谱技术研究了薄膜中成键结构特性随压强的变化．结果表明沉积压强强烈的影响了H键的浓度和Si-N键的浓度...
PECVD法制备类金刚石薄膜的摩擦学性能
材料表面与界面 等离子增强化学气相沉积 类金刚石膜 XPS 摩擦磨损
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2011/12/30
采用射频等离子体增强化学气相沉积法(rf--PECVD), 在45钢表面沉积了类金刚石(DLC)薄膜, 借助激光拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM), 分析了DLC膜的键结构、表面形貌和结构特征, 用原位纳米力学测试系统测定了薄膜的硬度。以GCr15钢为摩擦副材料, 用UMT--Ⅱ摩擦磨损实验机考察了不同载荷和滑行速度条件下DLC膜...
RF-PECVD掺溴非晶碳氢膜的Raman光谱分析
拉曼光谱 频等离子体化学气相淀积方法 掺溴非晶碳氢薄膜 sp2
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2010/2/4
在室温条件下，以溴乙烷为单体、氢气为载气，用13.56 MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C∶Br∶H)。通过对其进行Raman光谱分析，研究了工作气压对薄膜结构的影响。结果显示：随着气体工作压力从20 Pa下降至5 Pa, 样品D峰强度增强，ID/IG值逐步由1.18增加至1.36，G峰的位置向高频轻微移动;与此同时，薄膜生长方式逐步转...
PECVD 法制备氮化硅薄膜的研究进展
氮化硅薄膜 PECVD 工艺参数
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2009/2/11
等离子增强型化学气相沉积(PECVD)是目前较为理想和重要的氮化硅薄膜制备方法。着重介绍了PECVD 法制备氮化硅薄膜工艺参数的研究进展。
PECVD氮化硅薄膜的制备和研究
氮化硅薄膜 PECVD
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2008/12/12
设计制造了一套PECVD低温淀积氮化硅的小型设备。并将生成膜用于半导体器件的钝化。本文介绍了这套设备的原理和设计思想,研究了工艺参数对生成膜的影响,测定了生成膜的各种物理化学性能。我们认为这是一种值得在我国推广的钝化工艺。
用VHF-PECVD技术研制大面积硅基薄膜
VHF-PECVD 硅基薄膜 太阳能电池
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2008/12/3
该项目在反应室外采用同轴电缆，在真空反应室内采用矩形不锈钢导槽不接触式包裹VHF铜板导线，实现VHF信号的良好屏蔽；采用中心点馈入法很好地消除了电极表面的驻波（TEM波）和损耗波(TE波)造成的电场不均匀性问题；保证在VHF-PECVD的辉光区的两个平行板电极绝对平行，无任何金属突起（如金属夹具等），以获得均匀的薄膜材料；采用中心点馈入法对馈线和电极的连接方式进行了特殊设计；通过改变流量，激发功...
PECVD-ONO: A New Deposited Firing Stable Rear Surface Passivation Layer System for Crystalline Silicon Solar Cells
Silicon Solar Cells Passivation Layer System
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2008/10/31
A novel plasma-enhanced chemical vapour deposited (PECVD) stack layer system consisting of a-SiOx:H, a-SiNx:H, and a-SiOx:H is presented for silicon solar cell rear side passivation. Surface recombina...
PECVD氮化硅减反射膜与太阳电池用银浆
太阳电池 PECVD氮化硅
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2008/10/24
课题主要研究内容为：（1）等离子气相沉积法制作氮化硅钝化减反射膜工艺研究；（2）太阳电池用N型掺杂银浆的研制。课题研制出不锈钢结构、可放置70片100X100mm2面积硅片、进行PECVD氮化硅膜多片沉积实验的设备；采用了纯硅烷作为气源，进行了多片化沉积条件的研究，在实验中着重从等离子体功率、沉积时间、气体流量及配比，衬底温度对膜的质量与均匀性的影响进行了重点研究。研究所得的氮化硅膜的折射率≥2....
沈阳科学仪器IC成膜PECVD设备研发和产业化项目通过验收
“IC成膜PECVD设备研发和产业化” 验收
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2008/6/19
辽宁省发展和改革委员会于2008年6月16日，在沈阳市主持召开了“IC成膜PECVD设备研发和产业化”项目验收会。该项目是由中科院沈阳科学仪器研制中心有限公司承担的国家高技术产业化示范工程项目。验收委员会认真听取、审阅了项目验收报告及相关资料，并对建设现场进行了考察，经质询和讨论，同意该项目通过验收。
验收意见指出：沈阳科仪公司完成了国家发展改革委复函中所确定的建设内容。在6英寸PE...
PECVD项目通过验收
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2008/1/16
沈阳科仪中心公司承担的沈阳市科技计划项目——“IC装备等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）产业化”项目，经过1年的努力，全面完成了合同规定的任务，提前半年申请验收。7月19日，沈阳市科技局在沈阳科仪中心公司组织召开了项目验收评审会。评审会专家组认真听取了验收汇报，并进行了现场考察和质询，一致同意通过项目验收。专家组对公司PECVD产品给予了较高的评价：该项目完成了6英寸PECVD设备的研发任...
PECVD方法制备的金刚石膜的慢正电子束研究
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2007/7/28
专著信息
书名
PECVD方法制备的金刚石膜的慢正电子束研究
语种
中文
撰写或编译
作者
徐燕,翁惠民,叶邦角,周海洋,朱晓东,王海云,彭成晓,周先意,韩荣典
第一作者单位
出版社
核技术
出版地
出版日期
年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
化合物半导体SiC的缺陷性质研究及慢正电子束装置改进
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)工艺制备非晶硅(a-Si:H)薄膜, KBr衬底在175-275 ℃范围内变化, 用傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度的变化情况, 结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随衬底温度的变化规律. 光谱式椭圆偏振仪中用Forouhi Bloomer (FB)模型拟合得到薄膜的折射率(n), 消光系数(k), 膜厚及...
Application of PMA Towards Moderating the Charge Storage Capability of MIS Memory Cell Based on PECVD Deposited Silicon Nitride Thin Films
PECVD Nitride films C-V G-V I-V P M A hysteresis and memory window
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2010/4/9
A memory capacitor formed from Al/Si3N4/Si was prepared by means of trapping and de trapping mechanism of the dielectric films. Charge trapping and interface state characteristics of silicon nitride (...
Adherent Diamond-Like Carbon Coatings on Metals Via PECVD and IBAD
Diamond-like carbon Plasma enhanced chemical vapor deposition Ion beam-assisted deposition
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2010/9/29
Adherent and low-stress a-C:H films were deposited on Ti6Al4V and stainless steel substrates using PECVD and IBAD techniques. An amorphous silicon interlayer was applied to improve the adhesion of the...