搜索结果: 16-30 共查到“知识要闻 晶体学”相关记录246条 . 查询时间(3.55 秒)
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中国科学院金属研究所压力可控储热技术取得新进展(图)
相变 储热材料 晶体
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2024/3/18
热无处不在,全球约72%的初级能源转化后主要以热耗散的形式释放。传统相变储热材料完全依赖于环境温度,存在本征热耗散的弊端,导致其放热过程被动、不可控,应用场景受限。因此,热能在非温度外场条件下的有效调控一直是能源领域的一项重要挑战。开发可控储、放热新技术,对于提高能源利用率以及解决碳排放问题意义重大。
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中国科学院物理研究所通过界面缓冲层控制实现单层MoS2单晶晶圆(图)
界面 半导体器件 晶体
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2024/3/16
随着芯片制程的发展和晶体管尺寸的持续微缩,传统硅基半导体器件达到了物理极限,面临着性能与功耗的瓶颈。以MoS2为代表的二维半导体材料,因其极限的物理厚度、表面原子级平整且无悬挂键、高本征迁移率、强的栅控能力,是解决当前晶体管微缩瓶颈,及构筑速度更快、功耗更低、亚10 nm 高性能半导体芯片的一类战略新材料。国际半导体联盟在2015年的技术路线图(International Technology R...
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中国科学院青岛能源所开发出用于CO2高效还原的Cu基双钙钛矿电催化剂(图)
钙钛矿 电催化剂 晶体
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2024/3/18
利用可再生能源将CO2电催化转化为高值产物是实现“双碳”目标的重要途径。在CO2还原的众多产物中,CH4由于能量密度高、绿色清洁、存储运输基础设施完善等特点受到广泛研究关注。Cu基催化剂在电催化CO2还原制CH4方面具有广阔的应用前景,但受限于复杂的反应过程及活性结构坍塌,仍面临着CH4选择性不理想、稳定性差等问题。
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中国科大在非晶固体振动特性的研究中取得新进展(图)
固体振动 晶体 热力学
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2024/6/14
与结构有序的晶体不同,非晶固体中原子的空间排列混乱无序,导致非晶固体的本征振动模式与晶体中的声子有显著差异。德拜模型成功描述了晶体在低温下的热力学性质,该模型指出,晶体的低频声子态密度D(ω)与频率满足标度律:D(ω)∼ωd-1,其中d为空间维度,并由此可以获得晶体比热c与温度T的正确关系:c∼Td。作为非晶固体的代表,玻璃的低温比热不满足上述关系,这暗示着玻璃的低频本征振...
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上海高研院新型膜材料快速海水淡化研究取得进展(图)
海水淡化 框架晶体膜
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2024/3/3
中国科学院上海高等研究院(以下简称“上海高研院”)纳孔构型的分离与能源转化团队在共轭框架晶体膜超快海水淡化方面的研究取得重要进展,相关成果以“Alkadiyne-pyrene conjugated frameworks with surface exclusion effect for ultrafast seawater desalination”为题发表在Journal of the Amer...
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中国科学院物理研究所从预测模型到真实结构—直接法在蛋白质晶体结构解析中的新应用(图)
蛋白质 晶体结构 解析
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2024/3/16
高精度结构预测工具AlphaFold的出现,使得科学家可以通过计算机直接窥探生命基本物质—蛋白质及其复合物的基本构型,这就为蛋白质功能的研究、药物的筛选、以及蛋白质的从头设计,提供了不可估量的帮助。然而,预测从来不可能脱离实验而单独存在,特别是对于一些困难的案例,如超大复合物、长螺旋结构等,如何迈过这万里长征的最后一步,仍然是当前的热门话题。
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中国科学院微电子所在IGZO 2T0C DRAM多值存储领域取得重要进展(图)
电路 器件 晶体
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2024/2/28
IGZO薄膜晶体管(TFT)由于其极低的关态电流、较高的迁移率和低温工艺,在新型DRAM的应用中备受关注。与传统的硅基1T1C DRAM相比,IGZO 2T0C DRAM具有能够实现多值存储的优势,该优势可提高各个单元的有效存储密度。但目前基于该方面的研究仅实现了单个存储单元的多值存储功能验证,以及多个单元间SN电压的均一性,仍需要较为复杂的外围电路来解决读取晶体管之间阈值电压变化的问题。
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中国科学院微电子所在铪基铁电存储器芯片研究领域取得重要进展(图)
芯片 晶体 器件
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2024/2/29
基于Zr掺杂HfO2(HZO)材料的铁电存储器有望通过后道工艺进行大规模阵列集成,但仍存在两个关键的优化问题:一方面,HZO的最佳退火温度仍高于后道工艺的热预算限制(为保证前道工艺制备的晶体管及互联金属的可靠性,通常后道工艺的热预算通常被限制在400℃以下);另一方面,对于器件在先进工艺节点中的应用,以及降低器件的写操作功耗,需要降低HZO铁电器件的操作电压。
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中国科学院物理研究所晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破(图)
碳化硅 晶体 光谱测量
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2024/1/13
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能,在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比,立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3.7 eV)。利用3C-SiC制备场效应晶体管,可解决栅氧界面缺陷多导致的器件可靠性差等问题。但3C-SiC基晶体管进展...
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中国科学院广州地化所提出黏土矿物高值利用新方法(图)
黏土矿物 晶体化学
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2024/1/7
黏土矿物是一类具有典型层状结构的含水铝硅酸盐矿物,因特殊的晶体化学特征(SiO2含量可达60%)及独特的天然纳米层状结构,广泛应用于工农业生产各个方面,是重要的非金属矿产资源。我国黏土矿物资源储量丰富、廉价易得,有明显的资源优势,但目前我国黏土矿物资源利用水平却较低,产品附加值不高,急需实现黏土矿物高值利用基础理论与关键技术的突破。低碳经济和我国“双碳”战略的时代背景下,以锂电池为代表的新能源经济...
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中国科学院化学研究所刘云圻课题组在无铅钙钛矿的光致非易失性存储晶体管研究方面取得重要进展(图)
刘云圻 无铅钙钛矿 晶体管
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2024/1/14
有机无机金属卤化物钙钛矿材料凭借高的载流子迁移率在晶体管研究中引起广泛关注,2023年来钙钛矿场效应晶体管(PeFET)在探测器和突触中的应用已得到深入研究。然而,基于PeFET的突触仍然很难将优异的载流子传输能力、光敏性和非易失性存储效应集成到一个器件中,制约了进一步开发仿生电子器件和边缘计算。
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中国科学院微电子所发布开源薄膜晶体管TFT工艺设计套件(PDK)(图)
薄膜晶体管 集成电路 T器件
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2024/2/29
2023年10月15日,在第4届中国计算机学会集成电路设计与自动化学术会议(CCF DAC)openDACS开源EDA专题论坛上,微电子所集成电路制造技术重点实验室(中国科学院)发布了开源非晶硅薄膜晶体管TFT工艺PDK。重点实验室李志强研究员作了发布报告。
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上海高研院在唯一性相位恢复成像方面取得突破性进展(图)
X射线晶体学 天文学成像
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2024/1/16
中国科学院上海高等研究院(以下简称“上海高研院”)王中阳研究团队在唯一性相位恢复成像基础方面取得突破性进展,提出了一种基于双面约束的唯一性相位恢复成像方法。相关研究成果以“Unique phase retrieval with a bandlimited image and its Fourier transformed constraints”为题发表在美国光学学会期刊《Journal of t...
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直接响应环境的混合生物晶体管问世(图)
直接响应环境 混合生物 晶体管
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2023/12/12