搜索结果: 136-150 共查到“知识要闻 半导体材料”相关记录234条 . 查询时间(2.223 秒)
北京航空航天大学材料科学与工程学院赵立东教授课题组取得热电材料研究新进展（图）
北京航空航天大学材料科学与工程学院 赵立东 教授课题组 热电材料
font style='font-size:12px;'>
2018/6/27
2018年5月18日，《Science》杂志在线发表了北京航空航天大学材料科学与工程学院赵立东教授课题组在热电材料研究上取得的新进展：《3D charge and 2D phonon transports leading to high out-of-planeZTinn-type SnSe crystals》。利用硒化锡（SnSe）的层间最低热传导特性（二维声子传输），通过电子掺杂促进离域电子杂...
西安电子科技大学郝跃发现半导体材料“新大陆”（图）
西安电子科技大学 郝跃 半导体材料 新大陆
font style='font-size:12px;'>
2018/5/24
“谁掌握了我们的芯片，谁就掌握了我们的信息空间。信息空间虽然呈现为多维的、抽象的、不可见的，但却实实在在地影响着我们的生活。人们在这个空间一旦失去自由，就没有安全感。”5月10日，西安电子科技大学宽禁带半导体材料首席专家郝跃院士再次郑重地重复了他当选院士时说的话。郝跃，1958年3月生于重庆市，籍贯安徽阜阳，中国科学院院士、微电子学家。1982年，郝跃毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业，1...
“面向片上集成半导体纳米结构光子学”中德联合实验室揭牌（图）
面向片上 集成半导体 纳米结构光子学 中德联合实验室 揭牌
font style='font-size:12px;'>
2018/5/23
2018年5月10日上午，2018低维半导体纳米结构与集成器件研讨会暨“面向片上集成半导体纳米结构光子学”中德联合实验室揭牌仪式在我校举行。来自美国、德国、新加坡以及国内相关领域的专家学者代表与会交流。“面向片上集成半导体纳米结构光子学”中德联合实验室的建立，旨在进一步推动中德双边和多边在本领域的广泛合作，通过新型低维材料与器件，来应对后摩尔时代集成电路（IC）的瓶颈以及超摩尔时代光互连技术的挑战...
南方科技大学材料系郭旭岗课题组在JACS发表封面文章——报导高性能n-型有机半导体研究进展（图）
南方科技大学材料系 郭旭岗 课题组 JACS 封面文章 高性能 n-型 有机半导体
font style='font-size:12px;'>
2018/5/22
近日，我校材料科学与工程系郭旭岗教授课题组在《美国化学会志》(JACS, 影响因子13.858)发表封面文章。论文题目为“(Semi)ladder-Type Bithiophene Imide-Based All-Acceptor Semiconductors: Synthesis, Structure–Property Correlations, and Unipolar n-Type Tran...
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所在钙钛矿单晶表面SERS研究中获进展（图）
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 钙钛矿 单晶表面SERS 半导体材料
font style='font-size:12px;'>
2018/4/12
近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所郭春雷中美联合光子实验室首次在钙钛矿（CH3NH3PbCl3）单晶表观测到了吸附分子4-巯基吡啶（4-MPY）的表面增强拉曼光谱（SERS）信号，增强因子高达10-5。研究表明，钙钛矿材料作为一种半导体材料，具有SERS活性，其表面吸附分子能够在界面处形成一个新的电荷转移态，从而促使激光照射下，界面发生电荷转移共振而产生SERS效应。通过进一步研究，发现...
中国科学院固体研究所在五氧化二钽晶格结构研究方面取得重要进展（图）
中国科学院固体研究所 五氧化二钽 晶格结构
font style='font-size:12px;'>
2018/5/16
近期，固体所物质计算科学研究室杨勇研究员在五氧化二钽晶格结构研究方面取得重要进展，相关结果发表在Physical Review Materials (Phys. Rev. Materials, 2, 034602 (2018))上。五氧化二钽 (Ta2O5) 是一种用途广泛的宽带隙半导体材料。由于具有很高的介电常数，它是替代二氧化硅 (SiO2) 作为新一代电子器件的氧化物绝缘层的备选材料之一。它...
中国科学技术大学等在电子超快相干转移动力学及电子-空穴复合的微观机理研究中取得进展（图）
中国科学技术大学 电子超快相干转移 动力学 电子 空穴复合 微观机理
font style='font-size:12px;'>
2018/3/26
中国科学技术大学教授赵瑾研究组与美国匹兹堡大学教授Hrvoje Petek合作，在金属纳米颗粒与石墨界面的电子超快相干转移及掺杂半导体中电子-空穴复合的微观机理研究中取得新进展。通常，金属/半导体（半金属）异质界面的电子转移需要首先激发热电子，然后热电子跨越界面势垒（例如肖特基势垒），进而完成电子转移。然而，热电子的寿命很短，势垒的存在极大地限制了电子转移的效率。高效的电子转移通常依赖于特定的物理...
中国科学院大学物理科学学院武团队在二维量子阱超晶格的制备及生长机制研究取得进展（图）
中国科学院大学物理科学学院 武团队 二维量子 阱超晶格 生长机制
font style='font-size:12px;'>
2018/5/8
最近中国科学院大学物理科学学院博士生导师、中国科学院拓扑量子计算卓越创新中心的周武研究员、张余洋副教授与美国范德堡大学Sokrates T. Pantelides教授（中国科学院大学特聘访问教授）、新加坡国立大学Kian Ping Loh教授、新加坡南洋理工大学Zheng Liu教授等课题组合作，针对构筑二维半导体量子阱及超晶格结构问题开展研究，利用二维平面异质结界面形成的周期性位错驱动二维量子阱...
中国科学院国家纳米科学中心等在手性碳量子点调控细胞能量代谢研究中获进展（图）
中国科学院国家纳米科学中心 手性碳量子点 细胞能量代谢
font style='font-size:12px;'>
2018/3/15
碳量子点是继富勒烯和石墨烯之后备受瞩目的碳纳米材料。碳量子点具有类似于半导体量子点的荧光性质，但不含有毒金属元素，具有良好的生物相容性，在生化传感、成像分析、环境检测、光催化技术等领域表现出良好的应用前景。然而，受合成方法所限，手性碳量子点的研究目前仍不多见。中国科学院国家纳米科学中心聂广军课题组与清华大学许华平课题组合作，利用生物小分子半胱氨酸在水溶液中制备出具有手性光学活性的N-S掺杂碳量子点...
中国科学院上海有机化学研究所在基于薁的有机光电功能分子方面取得进展（图）
中国科学院上海有机化学研究所 薁 有机光电功能分子 有机半导体材料
font style='font-size:12px;'>
2018/3/5
有机半导体材料作为有机光电器件的核心组成部分，成为有机电子学的研究热点。材料的分子结构从根本上决定了材料的性能，因此，有机半导体材料的结构创制与合成一直是有机电子领域合成化学家关注的焦点。薁（Azulene）是一种青蓝色的具有较大分子偶极矩的非苯芳香化合物。从分子结构上看，薁是由缺电子的七元环和富电子的五元环并合而成，具有非镜面对称的分子前线轨道（HOMO/LUMO）、较低的能隙和反Kasha规则...
中国科学院物理研究所二维材料构筑超短沟道晶体管研究获进展（图）
中国科学院物理研究所 二维材料 超短沟道 晶体管
font style='font-size:12px;'>
2018/2/9
传统硅基半导体器件的小型化进程逐渐接近其物理极限，寻找新的材料、发展新的技术使器件尺寸进一步缩小仍是该领域的发展趋势。传统硅基场效应晶体管要求沟道厚度小于沟道长度的1/3，以有效避免短沟道效应。但受传统半导体材料限制，沟道厚度不能持续减小。近年来，利用二维半导体材料来构造短沟道晶体管器件已经成为一个前沿探索的热点课题。二维材料因其达到物理极限的厚度成为一种构造超短沟道晶体管的潜在材料，理论上可以有...
福建师范大学黄志高教授应邀访问中国科学院福建物质结构研究所（图）
福建师范大学 黄志高教授 中国科学院福建物质结构研究所 半导体材料
font style='font-size:12px;'>
2018/3/8
应结构化学国家重点实验室邀请，福建师范大学物理与能源学院院长黄志高教授于2018年1月23日访问福建物构所，并作了题为《零带隙PbPdO2半导体的电性和磁性的研究进展》的学术报告。报告中，黄志高教授首先介绍了该材料的当前研究进展，然后介绍了他的团队利用理论计算和实验研究揭示了PbPdO2薄膜的择优取向是导致该材料具有奇特电致/磁致电阻行为以及金属-绝缘体转变的原因。报告交流环节，各位老师学生积极地...
吉林大学青年千人张立军教授入选知社“2017年中国新锐科技人物”（图）
吉林大学 青年千人 张立军教授 2017年 中国新锐科技人物
font style='font-size:12px;'>
2018/2/3
由中国科协科学技术传播中心指导、知社学术圈主办的“2017中国新锐科技人物”评选结果近日揭晓。该评选活动旨在展示中国优秀的青年科技工作者以及他们的研究工作，促进跨领域的学术交流与合作，并推动科学技术的传播与普及。吉林大学材料科学与工程学院青年千人张立军教授入选中国新锐科技人物。张立军教授自2014年9月全职回校工作以来，围绕半导体功能材料，基于大规模电子结构计算模拟，开展材料能带调控及新材料设计研...
中国科学院物理研究所二维原子晶体锑烯研究取得进展（图）
中国科学院物理研究所 二维原子晶体 锑烯研究
font style='font-size:12px;'>
2017/12/29
未来信息技术需要低功耗、高性能的晶体管，国际半导体技术路线图描绘的未来晶体管通道长度小于10纳米。近年来的研究热点之一二维（2D）原子晶体材料与传统半导体材料相比，具有散射小、迁移率高、便于制备叠层异质结构、电学性质易于调控等特性，成为制作未来晶体管的优秀候选材料之一。在已发现的二维原子晶体材料中，由元素周期表中IV族元素构成的单层材料（例如石墨烯，硅烯，锗烯和锡烯等）具有高载流子迁移率，但由于其...
中国科学院半导体研究所二维半导体磁性掺杂研究取得进展（图）
中国科学院半导体研究所 二维半导体 磁性掺杂
font style='font-size:12px;'>
2017/12/20
近年来，二维范德华材料如石墨烯、二硫化钼等由于其独特的结构、物理特性和光电性能而被广泛研究。在二维材料的研究领域中，磁性二维材料具有更丰富的物理图像，并在未来的自旋电子学中有重要的潜在应用，越来越受到人们的关注。掺杂是实现二维半导体能带工程的重要手段，如果在二维半导体材料中掺杂磁性原子，则这些材料可能在保持原有半导体光电特性的同时具有磁性。近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验研究员...