搜索结果: 61-75 共查到“知识要闻 半导体器件与技术”相关记录130条 . 查询时间(0.812 秒)
中国科学院半导体研究所新型感算器件研究获进展（图）
新型感算器件 冯诺依曼架构 半导体储能设备
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2022/8/31
随着人工智能、物联网及智慧医疗等新型信息交互领域的发展，基于传统冯诺依曼架构的计算机系统以及工艺迭代带来的算力提升越来越难以满足数据处理及复杂神经网络模型运算的需求。神经形态器件作为一种模拟人脑的高效低功耗的信息处理模型，在信息处理方面具有天然优势。目前，以忆阻器为代表的人工突触器件广泛应用于神经形态计算，并构建多种类型的神经网络。然而，传统的人工突触器件存储的权重固定，重新部署费时费力，无法根据...
宁波材料所在氮化物宽禁带半导体极性调控及应用取得系列研究进展（图）
宽禁带半导体 氮化物薄膜 太阳电池 电子器件
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2023/7/13
宽禁带半导体以GaN、SiC等材料为代表，具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、高频下功率特性优良等优越性能，在半导体照明、5G通信、智能电网、新能源汽车、消费类电子、国防安全等领域拥有广阔的应用前景。与GaAs、InP等其他化合物半导体不同，纤锌矿III族氮化物如GaN、AlN、AlGaN材料由于其结构具有非中心对称特点，沿c轴方向产生强烈的自发极化，对应于金属极性（III-polar）和氮极性...
中国科学院微电子研究所在三维存算一体芯片领域取得重要进展（图）
三维 存算一体 芯片
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2023/2/15
随着芯片工艺制造的进步，工艺制程逐渐接近物理极限，深度神经网络的发展使得计算量和参数量呈指数上升，阻变存储器应用于大规模神经网络面临多个个挑战：1）由于卷积神经网络权值数量不断增加，使得阻变存储器的面积开销越来越大；2）对于多值大规模阻变存储器阵列，当参与乘累加计算的阻变单元数量很大时，由于阻变单元电导漂移而引起的误差累积更严重；3）三维阻变存储器阵列由于制造工艺难度更大，使得阻变单元与电路协同设...
26项电子元器件相关专利荣获第二十三届中国专利奖
电子元器件 专利 第二十三届 中国专利奖
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2022/10/17
2022年7月26日，国家知识产权局发布《第二十三届中国专利奖获奖名单》，根据《中国专利奖评奖办法》，第二十三届中国专利奖共评选出中国专利金奖获奖项目30项，中国外观设计金奖获奖项目10项，中国专利银奖获奖项目60项，中国外观设计银奖获奖项目15项，中国专利优秀奖获奖项目791项，中国外观设计优秀奖获奖项目52项，其中有26项电子元器件相关专利进入获奖名单。
“光电子科技引领 半导体创‘芯’未来”系列科技成果展示之四 | 高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化（图）
科技成果展示 高光效 长寿命 半导体照明 氮化物基发光二极管 核心器件
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2022/9/27
氮化物基发光二极管（LED）是新一代半导体照明光源的核心器件，具有高效节能、绿色环保的特点，是半导体照明产品走进千家万户的关键。随着各国淘汰白炽灯计划、国际《水俣公约》限汞排放淘汰荧光灯计划的进一步实施，半导体照明市场呈现爆发式增长。产业发展初期，核心技术被欧美日企业垄断，芯片产品高度依赖进口。中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心与三安光电股份有限公司等9家公司，历时十余年联合技术创新，率先突...
“光电子科技引领 半导体创‘芯’未来”系列科技成果展示之二 | GaN基紫外半导体激光器（图）
科技成果展示 氮化镓材料 GaN 紫外半导体激光器 半导体材料
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2022/9/27
中国科学院半导体研究所赵德刚研究员团队长期致力于GaN基光电子材料外延生长与器件研究。近年来，团队逐步解决了紫外半导体激光器发光效率低、高Al组分AlGaN的p掺杂困难、大失配外延应力调控以及器件自发热等一系列关键问题，在紫外半导体激光器研制方面取得了一系列重要进展。2016年实现了国内第一支GaN基紫外半导体激光器的电注入激射。2022年研制出激射波长为384nm、室温连续输出功率为2W的大功率...
CIE云讲堂 | 宽禁带半导体光电材料与器件专题将于2022年5月26日19:00开播（图）
云讲堂 宽禁带半导体 光电材料与器件
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2022/9/6
本期云讲堂邀请黎大兵、龙世兵、孙钱、蒋科围绕“宽禁带半导体光电材料与器件”展开分享。本次活动由中国电子学会学术交流中心、电子材料分会和《电子学报/CJE》编辑部联合承办。
南方科技大学深港微电子学院-宜确半导体联合实验室正式成立（图）
南方科技大学深港微电子学院 联合实验室 宜确半导体（苏州）有限公司 半导体材料与器件
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2022/10/18
近日，宜确半导体（苏州）有限公司与深港微电子学院签署合作协议，共同建立了“南科大深港微电子学院-宜确半导体联合实验室”。随着第三代半导体材料与器件的迅速发展，产业界已经掀起了应用研发热潮。宜确半导体（苏州）有限公司瞄准未来产业布局，携手深港微电子学院共同开展基于宽禁带材料的射频器件研发，以期突破现有技术瓶颈，开发出国际先进水平的射频前端通信芯片。深港微电子学院在这方面拥有长期的研究积累，联合实验室...
郭雪峰课题组：CMOS兼容的单分子场效应晶体管研究获得重要进展（图）
CMOS 单分子场效应 晶体管 硅基电子器件 互补式金氧半导体
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2022/5/7
纵观过去的半个多世纪，信息工业的快速发展依赖于硅基电子器件的不断微型集成。当7nm和5nm节点的芯片已经商用，3nm甚至1nm制程已经接近极限的情况下，摩尔定律似乎已经开始走向终点。因此，发展新机制、新材料和新器件已经成为半导体行业的下一个转折点。其中，利用单个分子构建电子电路元器件得到了广泛的关注，是电子器件微小化发展的终极目标。首先，单分子器件可以使得器件的导电沟道真正达到1nm左右水平，有望...
南京工业大学成果荣获2021中国电子学会科学技术奖（自然科学）一等奖
南京 工业大学 电子学会 科学技术奖 钙钛矿 发光二极管
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2024/4/16
近日，由南京工业大学先进材料研究院黄维院士、王建浦教授团队主持完成的“钙钛矿基发光二极管”成果荣获2021中国电子学会科学技术奖自然科学一等奖。
南京工业大学先进材料研究院董晓臣教授课题组荣获2021年度江苏省科学技术奖
董晓臣 江苏省 科学技术奖 肿瘤光治疗 有机半导体
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2024/4/16
近日，江苏省人民政府发布了《省政府关于2021年度江苏省科学技术奖励的决定》（苏政发〔2022〕28号），南京工业大学先进材料研究院董晓臣教授主持、邵进军副教授和司伟丽教授参与的“有机半导体光敏及结构调控及其肿瘤光治疗应用探索”项目获2021年度江苏省科学技术项目三等奖。截至目前，先进材料研究院累计获得江苏省科学技术奖5项。
南京邮电大学科研团队成功研制基于共聚物有机半导体的千伏级功率器件（图）
南京邮大 共聚物 有机半导体 千伏级 功率器件 芯片
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2024/2/21
功率器件是一种具有处理高电压，大电流能力的半导体芯片，主要用于变频、变压、变流、功率管理等功率处理。特别是近年来随着5G通信、新能源、轨道交通、智能电网等技术的发展，对高性能功率器件的需求进一步增加。传统的功率器件基于硅半导体材料，其性能开发已经接近极限。目前，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体功率器件正在快速进入产业化。但基于无机半导体材料的功率器件制备技术难度大，工...
南京工业大学先进材料研究院黄维院士、陈永华教授团队研究成果获2021年度中国半导体十大研究进展（图）
黄维 陈永华 半导体 研究进展 钙钛矿
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2024/4/16
近期，第二届“中国半导体十大研究进展”评选结果揭晓，先进材料研究院黄维院士、陈永华教授团队研究成果荣获2021年度“中国半导体十大研究进展”。
中国科学院半导体研究所游经碧研究员荣获2021年度中国科学院青年科学家奖（图）
中国科学院半导体研究所 游经碧 中国科学院青年科学家奖 钙钛矿半导体光电器件
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2022/9/27
近日，中国科学院公布了2021年度中国科学院青年科学家奖获奖者名单，全院共有10名青年科技人才入选，中国科学院半导体研究所游经碧研究员位列其中。游经碧研究员2010年在半导体所获得博士学位，2015年到半导体所工作，主要从事钙钛矿半导体光电器件研究。带领团队连续两次创造钙钛矿太阳能电池效率世界纪录，实现了中国研究团队在此领域世界纪录零的突破，打破了该领域世界纪录长期被国外研究机构垄断的局面；发明了...
南方科技大学深港微电子学院王敏团队在压电能量收集器方面取得新进展（图）
南方科技大学深港微电子学院 王敏 压电能量收集器 能量转换与管理 电极
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2022/10/18
近日，南方科技大学深港微电子学院助理教授王敏团队在能量收集器性能优化研究方面取得进展，相关成果以“Influence of effective electrode coverage on the energy harvesting performance of piezoelectric cantilevers”为题发表在高水平期刊《能量转换与管理》（Energy Conversion and M...