搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 计算机存储技术”相关记录77条 . 查询时间(2.203 秒)
南京大学物理学院张敏昊副研究员、宋凤麒教授课题组实现电调控单原子磁性与存储晶体管原型设计（图）
电调控 单原子磁性 存储晶体管 原型设计
font style='font-size:12px;'>
2024/4/7
近日，南京大学物理学院、原子制造研究院张敏昊副研究员、宋凤麒教授课题组与华中科技大学卢兴教授课题组以及西安交通大学杨涛教授课题组等合作，基于Dy@C84团簇单分子晶体管电输运平台，结合理论计算分析，系统研究了单原子磁性的电调控。
中国科学技术大学实现高维量子态的高效率量子存储（图）
高维量子态 高效率 量子存储
font style='font-size:12px;'>
2024/3/11
中国科学技术大学郭光灿院士团队在基于冷原子的量子存储实验研究中取得了重要进展：该团队史保森教授?丁冬生教授等与合作者利用冷原子系综实现了25维量子态的高效率存储。该研究成果于2023年12月15日在线发表在国际知名学术期刊<<物理评论快报>>上[Phys. Rev. Lett.131，240801（2023）]。
上海科技大学信息科学与技术学院王春东课题组发现基于计算机存储的隐蔽侧信道漏洞（图）
信息安全 计算机存储 隐蔽侧信道漏洞
font style='font-size:12px;'>
2024/3/11
信息安全一直是学术领域关注的一个前沿方向。近日，上海科技大学信息学院王春东课题组独立发现了一个新的基于计算机存储常用fsync函数调用的隐蔽侧信道，命名为Sync+Sync。利用该信道，可实现对数据位（比特）的隐蔽传输和接收，以及针对数据库和应用程序的侧信道攻击。该成果被USENIX Security 2024接收。USENIX Security是计算机信息安全与隐私领域的四大知名会议之一。
南京大学马小松、陆延青、祝世宁团队实现通信波段光量子纠缠的存储（图）
通信波段 光量子纠缠 存储
font style='font-size:12px;'>
2024/5/6
量子存储器是量子网络的核心器件，稀土元素—铒 (Er)具有独特的通信波段光学跃迁，是实现通信波段量子存储器的重要候选材料，对利用现有光纤通信网络构建量子网络有着重要的意义。近日，南京大学马小松、陆延青、祝世宁团队，结合晶体掺杂的同位素铒离子能级的高相干性和氮化硅光量子芯片的窄线宽、高亮度量子纠缠光源，成功实现了通信波段光量子纠缠态的微秒级存储。该工作大幅增加了通信波段纠缠光子的存储时间，超越之前世...
氧化铪基铁电存储材料研究取得进展（图）
氧化铪基 铁电 存储材料
font style='font-size:12px;'>
2023/8/22
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，导致器件工作电压与先...
中国科学院金属研究所揭示肖特基势垒调控自极化实现巨大铁电阻变开关比（图）
肖特基势垒 自极化 铁电阻 变开关比
font style='font-size:12px;'>
2023/7/6
铁电忆阻器以电阻的形式存储信息，其电阻与铁电畴结构密切关联，并可通过电压在亚纳秒时间尺度上进行调控，写入功耗低，在下一代非易失性存储技术中具有独特优势。器件性能（包括开关比、读写速度、数据存储容量等）与铁电畴结构及其翻转动力学密切相关。前期研究主要关注铁电极化翻转过程对阻变行为的影响，鲜有关于铁电自极化（铁电薄膜自发形成的特定铁电畴结构）对铁电阻变性能的影响的研究。如何精准调控铁电自极化并揭示其与...
中国计算机行业协会信息存储与安全专业委员会在京成立
中国计算机行业协会信息存储与安全专业委员会 北京 信息存储与安全
font style='font-size:12px;'>
2022/9/7
2021年9月28日上午，“中国计算机创新大会暨中国计算机行业发展成就奖颁奖典礼”在北京召开。在会上，中国计算机行业协会秘书长杜京哲宣布成立“中国计算机行业协会信息存储与安全专业委员会”并授牌，国家电子计算机质量检验检测中心总工程师阳小珊作为新成立的专委会代表接受了中国计算机行业协会授牌，并发表简短讲话。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制出目前最小尺寸的相变存储单元（图）
相变存储单元 最小尺寸 PCRAM
font style='font-size:12px;'>
2022/9/7
当今数据生产呈现爆炸式增长，传统的冯·诺依曼计算架构已成为未来继续提升计算系统性能的主要技术障碍。相变随机存取存储器（PCRAM）可以结合存储和计算功能，是突破冯·诺依曼计算构架瓶颈的理想路径选择。它具有非易失性、编程速度快和循环寿命长等优点。然而，PCRAM中相变材料与加热电极之间的接触面积较大，造成相变存储器操作功耗较高，如何进一步降低功耗成为相变存储器未来发展面临的最大挑战之一。缩小加热电极...
中国科学院微电子研究所在动态随机存储器研究领域获进展（图）
动态随机存储器 DRAM IGZO-DRAM
font style='font-size:12px;'>
2022/9/13
DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩，传统1T1C结构的DRAM存储电容限制问题以及相邻存储单元之间的耦合问题愈发显著，导致DRAM进一步微缩面临挑战。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战，在3D DRAM方面发挥更大优势。但目前研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元...
中国科学院微电子研究所在动态随机存储器领域取得重要进展（图）
动态随机 存储器 DRAM
font style='font-size:12px;'>
2023/2/15
DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩，传统1T1C结构的DRAM的存储电容限制问题以及相邻存储单元之间的耦合问题愈发显著，导致DRAM进一步微缩面临挑战。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战，在3D DRAM方面发挥更大的优势。但目前的研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1...
中国科学院宁波材料技术与工程研究所发表关于智能高分子凝胶基信息存储防伪材料研究进展的综述（图）
智能高分子 凝胶基 信息存储 防伪材料
font style='font-size:12px;'>
2022/9/13
信息安全与人民生活、社会稳定甚至国家安全息息相关。过去几十年里，为应对日益强大的伪造技术，各种防伪材料及相关防伪技术已得到快速发展。然而，基于传统干态或硬质材料存储的信息往往以静态形式显示，易被破解，因此，亟需开发新型的信息防伪材料及相应加密-解密策略来提高信息的安全等级。智能高分子凝胶具有可设计、修饰的三维网络结构，通过功能的赋予，这类材料在软机器人、组织工程、仿生皮肤等领域均具有应用前景和研究...
《移动云统一存储引擎（天权）的研发及产业化应用》荣获中国通信学会科学技术奖二等奖（图）
移动云统一存储引擎 中国通信学会科学技术奖
font style='font-size:12px;'>
2022/10/7
“移动云统一存储引擎（天权）的研发及产业化应用”项目获得2021年度中国通信学会科学技术奖二等奖，该项目由中移（苏州）软件技术有限公司（中国移动云能力中心）自主完成，拥有完全自主知识产权，已获得10项软件著作权，授权专利6件。邬贺铨院士担任主任委员的科技成果评价委员会评价该项目的 “大规模跨域纠删技术”为国际领先。天权统一存储引擎的获奖，代表着移动云分布式存储服务能力获得了业内认可与肯定，充分印证...
国家纳米科学中心在自旋分子存储器方面取得新进展（图）
自旋分子 存储器 冯·诺依曼计算机架构
font style='font-size:12px;'>
2023/1/10
经典的冯·诺依曼计算机架构中，数据存储与处理分离。由于指令、数据在存储器和处理器之间的高频转移，导致了计算机发展的“存储墙瓶颈”与“功耗墙瓶颈”。能不能模仿人类的大脑，构建新型器件实现计算和存储一体化，完成低功耗的复杂并行计算呢？
谢长生教授当选中国计算机行业协会信息存储与安全专业委员会首任会长（图）
谢长生教授 中国计算机行业协会 信息存储与安全专业委员会 会长
font style='font-size:12px;'>
2022/5/19
2021年9月28日下午，“中国计算机行业协会信息存储与安全专业委员会成立大会暨第一次全员大会”在北京举行。经全体参会代表表决，华中科技大学教授、原武汉光电国家实验室（筹）副主任谢长生当选为专委会首任会长，协会秘书长杜京哲向专委会会长、秘书长、副会长单位颁发了证书和牌匾。
湖南大学信息科学与工程学院课题组在持久性内存储存研究方面获得新进展（图）
湖南大学信息科学与工程学院 持久内存
font style='font-size:12px;'>
2021/4/25
现代计算机系统的主存存在着存储容量有限、能耗高等问题，新型的持久内存（Persistent Memory）能有效的解决上述问题。我校信息科学与工程学院陈浩教授课题组在持久内存研究领域取得新进展，其成果将促进持久内存技术的推广和使用，并在提高持久内存应用可靠性等方面，产生积极影响。