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二氧化碳激光器可用于极紫外光刻技术
二氧化碳激光器 极紫外光刻技术
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2008/7/14
美国加州大学研究人员2008年7月9日表示,他们在与西盟公司合作为下一代极紫外光刻(EUVL)开发激光光源的研究中发现,利用二氧化碳激光器系统可以获得极紫外光刻所需的极紫外光。他们相信,这项突破性发现有望帮助半导体工业寻找到在芯片上存储更多信息的方法,从而迅速提高电子设备的性能。
目前,全球半导体公司均致力于极紫外光刻技术的开发,将其视为制造特征尺寸为32纳米或更小微芯片的光刻工具。尽管近...
德国教研部长Annette Schvan访问上海交通大学
德国教研部长Annette Schvan 船舶大功率激光建造技术
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2008/4/24
作为德国联邦教研部长Annette Schvan访华重要活动之一,4月16日, Annette Schvan部长率领代表团专程访问我校,考察中德政府“光科技”合作项目“CHINLAS”。校务委员会主任马德秀与代表团一行在激光制造大楼会议室会面。常务副校长叶取源主持项目汇报会。交大相关院系、科研部门负责人、部分师生代表、企业代表参加。会面结束后,代表团参观了中德政府合作项目“CHINL...
英特尔研制硅激光芯片开启电脑光传输时代
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2008/1/17
英特尔周一证实,该公司已与加州大学芭芭拉分校的研究人员合作研发出了全球第一个可采用标准硅芯片制造技术生产的混合型电力镭射激光芯片(Hybrid Silicon Laser,HSL),据称这突破性进展将推动电脑进入速度更快的光传输时代。
据外电报道,一种叫做磷化铟(Indium Phosphide)的材料在加电条件下可以发出光。英特尔的研究人员这次成功将磷化铟的这种特性融入到了传统的硅芯片制造商...