搜索结果: 151-165 共查到“国际动态 微电子学”相关记录194条 . 查询时间(0.961 秒)
产综研联合东京大学研制出采用强电介质NAND闪存单元
电介质 闪存单元 晶体管
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2011/11/3
日本产业技术综合研究所（产综研）与东京大学，联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND闪存存储单元。可擦写1亿次以上，写入电压为6V以下。而此前的NAND闪存存储单元只能擦写1万次，且写入电压为20V。以往的NAND闪存只能微细化到30nm左右，而此次的存储单元技术还可以支持将来的20nm...
马来西亚最大的电子行业盛会—马来西亚NEPCON即将开幕
马来西亚 电子行业 盛会 开幕
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2011/11/3
业内人士不久就可以参加一个重要的亚洲盛会，6月3日到5日举办的马来西亚NEPCON展会。这次展会将在槟榔屿举办，是马来西亚最大的NEPCON展会，其中将展出大量的新产品、新技术和新业务。
德国展团参展NEPCON China 2009和NEPCON South China 2009
展博览 电子生产 原材料 设备领域
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2011/11/3
NEPCON China展会主办方励展博览集团（Reed Exhibitions）自豪地宣布，德国经济技术联邦委员会(BMWi)已经与德国商品交易会行业协会(AUMA)合作，再度支持德国展团参加NEPCON China 2009 (举办地：上海)及NEPCON South China 2009(举办地：深圳)。“这意味着NEPCON China 2009和NEPCON South China 20...
世界最小晶体管问世 仅1个原子厚10个原子宽
晶体管 原子厚 原子宽
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2011/11/3
据美国连线杂志报道，目前，英国研究人员研制世界上最小的电子晶体管，其厚度为1个原子，直径10个原子。这项最新研制的新型电子晶体管比之前32纳米硅材料电子晶体管小3倍，英国曼彻斯特大学研究人员科斯特亚•诺沃舍罗夫说，“这种电子晶体管可用于任何半导体制造。”他和另一位合著作者将该研究报告发表在《科学》杂志上。
IC设计专家黄剑辉：不能像做房地产那样对待半导体产业
IC设计 房地产 半导体产业
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2011/11/3
在2008年5月27日举办的“北美中国半导体协会访问《IT时代周刊》——全球半导体发展趋势暨国内市场热点”交流晚宴上，IC设计专家、在INTEL有过12年研发经验的黄剑辉先生作了精彩发言，强调了中国是世界上最适合半导体产业发展的国家之一，但目前的问题是“以做房地产的心态做半导体”，这种浮躁的心态必须转变。
在英特尔工作的时候，大概在几年前，总裁提出几个要点：我们会在什么地方发展？他提出：第一是需...
德国Zimmermann & Schilp Handhabungstechnik GmbH开发出了半导体生产工序中能以非接触方式搬运最大300mm晶圆的机器人用工具“Non-contact Wafer Gripper”。具体地，就是利用超声波在工具表面形成一层空气薄膜，使晶圆漂浮于其上。
台企欲对欧盟持续征收19英寸液晶14%进口关税提起诉讼
欧盟 征收 液晶 诉讼
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2011/11/3
中国台湾地区企业与美国企业坚持认为，19英寸PC显示器用的面板属于IT产品，根据“信息技术协议”(ITA)，应该享有零关税待遇。此前，美国贸易代表已两次扬言要向WTO提交诉状。
中国台湾地区是全球面板最大的生产基地之一。根据统计，台湾LCD显示器厂商每年出口到欧盟的19英寸以上的LCD中，高达350多亿元人民币的产品被征收14%的进口税，如果遵从欧盟关税协定，它将至少为此多付50亿元人民币的代价...
消除探针影响和其它测量问题（图）
纳电子 测量 问题
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2011/11/3
英特尔公司技术战略部门，材料研究组经理Michael Garner，在2007年国际纳电子表征与测量前沿会议（2007 International Conference on Frontiers of Characterization and Metrology for Nanoelectronics）上列举了在纳米科技时代测量技术需要克服的几个障碍。
英国科学家制造出新型碳纳米管超微电极
新型碳纳米管超微电极 灵敏传感器
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2008/5/8
英国沃里克大学的研究人员使用化学蒸气沉积法和平板印刷术制造出圆盘状单壁碳纳米超微电极，这种超微电极可用于制造超灵敏传感器。
2008年半导体市场曙光重现 中国逼近欧洲新设备市场规模
半导体 欧洲 市场规模
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2011/11/3
国际半导体设备暨材料协会(SEMI)昨天报告全球半导体制造设备销售额达到427.7亿美元，比2006年的404.7亿美元增长幅度6%，超过之前3%的保守预测。
东芝将开发采用43纳米CMOS工艺技术的16Gb NAND闪存（图）
开发 纳米 工艺技术 闪存
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2011/11/1
东京东芝株式会社为了巩固其在功能强大、高密度NAND闪存开发和制造领域的领先地位，于今日宣布成功开发出专用于16Gb NAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43纳米工艺技术制造，这种技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的。这种新型芯片技术已于2月6日在旧金山举行的2008年度国际固态电路大会（ISSCC）23.6讨论会上进行过详细报告。
孚日股份牵手德国ALEO SOLAR AG 首期60MW薄膜太阳电池组件项目正式开工
德国 薄膜 太阳电池组件 项目 开工
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2011/11/1
孚日股份光伏产业的合作方近日终于揭开面纱。孚日股份的德国合作方———ALEO SOLAR AG公司最近参加了山东孚日光伏科技有限公司CIGSSe薄膜太阳电池组件的研发及生产项目的开工奠基仪式，首期60MW薄膜太阳电池组件项目正式开工建设。
英特尔：闪存替代产品全新PCM芯片将进入全面量产阶段（图）
英特尔 闪存 芯片 量产
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2011/11/1
Nunonyx技术设计部前总裁Ed Doller，现任Intel闪存部门CTO，在IDF上展示PCM闪存晶圆样品。2008年令人激动的技术终于由Intel得以宣布最新进度，Intel方面表示，用来替代当前NAND闪存技术的全新PCM(phase change memory，相位变换存储)芯片即将进入全面的量产化阶段，并且Intel公司目前已经可以提供PCM闪存芯片的样品。
恩智浦半导体联合Purple Labs共推低价3G手机方案（图）
半导体 手机方案
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2011/11/1
日前，恩智浦半导体（NXP Semiconductors）和Purple Labs联合发布了一款基于Linux的大众3G手机解决方案，其名称为“Purple Magic”，该机基于恩智浦半导体的NXP Nexperia 7210平台，并采用Purple Labs的Linux软件移动版本。
AMD亚洲第二大研发中心选址成都 明年投入运行
亚洲 研发中心 投入运行
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2011/11/1
世界500强企业、美国电脑微处理器制造公司AMD(超威半导体)在成都设立了其在中国的第四家机构。记者昨日获悉，AMD成都分公司近日在武侯区注册。分公司拟在成都建立AMD公司在亚洲的第二大研发平台，并预计在明年投入运行。