搜索结果: 61-75 共查到“国际动态 微电子学”相关记录194条 . 查询时间(2.343 秒)
摩尔定律将死“电子自转”芝麻开门
摩尔定律 电子自转 芝麻开门
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2011/11/3
旧金山时间2010年1月22日，斯坦福大学应用物理学和电机工程系教授张首晟在接受本报记者独家专访时，将矛头直指IT业奉为圭臬的摩尔定律。英特尔创始人之一戈登·摩尔在上世纪60年代初提出：集成电路上可容纳的晶体管数目约每隔18个月便会增加一倍，而性能也将提升一倍。半个世纪以来，这一定律见证了人类信息技术前进的脚步，也养肥了芯片业的巨无霸——英特尔。
CYBERNET与“上海半导体照明技术中心”成立联合实验室
半导体照明 实验室
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2011/11/3
2010年1月20日，“LED光学、热学设计与应用联合实验室”挂牌仪式在上海半导体照明工程技术研究中心举行。该实验室由上海半导体照明工程技术研究中心与莎益博设计系统商贸（上海）有限公司联合创建。
特许将逐步与GlobalFoundries合并
半导体 晶圆厂 微米 收购
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2011/11/3
刚刚被阿联酋阿布扎比先进技术投资公司(ATIC)正式完成收购，新加坡特许半导体就已经开始了与GlobalFoundries的合并，最终将成为后者的一部分。GlobalFoundries是AMD的芯片制造业务拆分而来的新公司，今年3月初正式启动独立运营，ATIC在其中持有大部分股份，AMD保留少数，而ATIC对特许半导体的收购从12月18日起生效，后者将在本月底陆续从纳斯达克和新加坡证券交易所摘牌。
斯坦福研制出具备复杂电路结构的碳纳米管IC
电路结构 碳 纳米管
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2011/11/3
最近斯坦福大学研制出了首个三维碳纳米管结构电路，这项成果可能标志着科学家在研制纳米管计算机方面又取得了一项重要的进展，纳米管计算机相比现有的硅半导体计算机在运算速度和省电性能方面拥有较大的优势。尽管纳米管计算机还需要10年左右的时间才有可能投入实用，但斯坦福大学的这项研究成果证明人类完全 可以使用碳纳米管技术制造出叠层结构的集成电路。叠层结构的集成电路单位体积内的运算效能较高，此外这种电路在散热性...
奥地利微电子推出支持可编程密集读卡器模式的读卡器
微电子 可编程 读卡器模式
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2011/11/3
全球领先的通信、工业、医疗和汽车领域模拟集成电路设计者及制造商奥地利微电子公司推出AS3992，扩展了旗下面向Gen 2应用的、市场领先的UHF RFID读卡器IC产品线。
ADI完成制造工厂战略性升级改造计划
制造 战略性 升级 计划
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2011/11/3
Analog Devices, Inc.，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最近成功完成了对专有模拟、混合信号和 MEMS（微机电系统）制造工艺技术的升级和改进，目的是降低成本，提高晶圆制造效率。美国马萨诸塞州威明顿工厂的改造已于11月1日完成，而在今年早期，位于爱尔兰利默瑞克的工厂也完成了改造计划，这是 ADI 公司之前宣布的一项确保客户享有高性价比和灵活的全球制造基础设施的长期规划的一部...
Gartner：2009年全球半导体收入下滑290亿美元 （图）
2009年全球 半导体 收入 下滑
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2011/11/3
根据全球技术研究和咨询公司Gartner的初步估计，2009年全球半导体总收入为2,260亿美元，比2008年下滑11.4%，这将是该行业在过去的25年来经历的第六次收入下滑。Gartner半导体调研总监Stephan Ohr先生表示：“2009年第一季度半导体收入急剧下降，这一持续恶化是从2008年第四季度开始的。而2009年第一季度末收入的轻微上扬，则导致了随后明显的同比增长。”
传东芝投资22亿美元扩大NAND闪存产能
投资 扩大 闪存 产能
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2011/11/3
国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元（约合22亿美元）扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。
ASU scientists improve chip memory by stacking cells
ASU scientists chip memory stacking cells
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2009/12/23
Scientists at Arizona State University have developed an elegant method for significantly improving the memory capacity of electronic chips.Led by Michael Kozicki, an ASU electrical engineering profes...
Life after silicon（图）
Life silicon silicon transistors
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2009/12/15
The huge increases in the power and capacity of computers, cell phones and communications networks in the last 40 years have been the result of ever-shrinking silicon transistors. But silicon transist...
硅锗纳米线形成的重要发现
硅锗纳米线 形成 发现
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2009/12/9
研究人员的最新发现使半导体纳米线超微晶体管的实现指日可待。纳米线制造晶体管是继续摩尔定律的一种潜在方法。电子器件的异质结由层级分明的不同半导体材料形成，如硅、锗，而目前还无法用清晰的硅锗层生成纳米线，层与层之间的渐进难以使晶体管最佳运作。研究人员已发现在层级严格定义于原子结构的条件下如何用不同材料分层产生纳米线。鉴于传统晶体管的平面结构，硅纳米线采用垂直生长，垂直结构占用较小的空间，从而有利于集成...
自旋极化电子的新突破（图）
自旋 极化电子 新突破
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2009/12/9
荷兰物理学家首次在室温条件下将自旋极化电子注入硅中。研究人员将电子分别注入p型和n型硅中并测试其极化维持时间。这次突破推进了高能效电子，即自旋电子器件的发展。传统的电子利用电荷和迁移，而自旋电子利用电子的自旋特性。磁性材料中自旋的方向可以用来存贮1、0信息，而将这种信息传输到半导体中，让信息可以在新的自旋电子器件中得以处理却是研究的挑战。为了有效交换信息，研究人员在磁性材料和半导体之间插入一层超薄...
石墨烯晶体管首发生成技术——低温、全表面、直接生成（图）
石墨烯晶体管 低温 全表面 直接生成
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2009/12/9
富士通实验室日前宣布，采用化学气相沉积技术(CVD)在温度较低的条件下直接在大尺寸绝缘衬底上全面生成石墨烯晶体管。富士通将石墨烯制造温度明显地降低到650℃，使得石墨烯晶体管可以直接在多种绝缘衬底直接生成。在整个晶片表面进行多层石墨烯的低温合成通CVD控制石墨烯的厚度。使用石墨烯作为沟道材料的晶体管生成过程如下图所示，由于过程不受尺寸限制，因此可运用于大尺寸晶片，测试晶片尺寸为77毫米但新技术可应...
友达光电入选2009-2010年度Ocean Tomo 300(R)专利指数成分股
指数 研发资源 比率
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2011/10/31
友达光电今(11月26日)宣布，其获选为美国2009-2010年度Ocean Tomo 300(R)专利指数成份股之一，这高度肯定了友达长期致力于专利开发的卓越成效与努力。Ocean Tomo 300(R)专利指数计算系统收录企业创新技术的比率，并以专利数量反应其账面价值。截止到2009年11月，友达已获核准的专利已达近6千件，而申请中之专利亦近5500件，专利申请数量每年均在国内光电产业排名中名...