搜索结果: 121-135 共查到“知识库 光子集成技术”相关记录298条 . 查询时间(6.123 秒)
小尺寸低折射率差硅基二氧化硅阵列波导光栅
空气槽 阵列波导光栅 通带宽度 硅基二氧化硅技术
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2011/12/19
随着AWG型器件在光通信系统中的大规模应用，对低成本AWG芯片的需求越来越多。在各种降成本方案中，减小AWG芯片的尺寸是最有效的方法之一。本文介绍了一种新型小尺寸低折射率差硅基二氧化硅阵列波导光栅（AWG）的设计。在该AWG中，输入波导/输出波导与平板波导连接的部分制作成两侧为空气槽的高折射率差波导，所以在与输出平板波导连接处的相邻输出波导间距较小，这样可以在设计上缩短平板波导的长度、减少阵列波导...
线宽增强因子是影响半导体激光器输出特性的一个重要参量,不同材料不同结构类型的半导体激光器的线宽增强因子有较大的差异.利用光注入半导体激光器的单模速率方程模型,数值研究了线宽增强因子对外光注入半导体激光器的非线性单周期振荡特性的影响.结果表明:外光注入半导体激光器的动态特性对线宽增强因子的变化极为敏感,随着线宽增强因子的增加,在负失谐注入范围内单周期振荡区域显著增大,同时注入锁定的稳态输出被大大抑制...
基于PDMS的倒脊形波导电光调制器的设计与制备
聚二甲基硅氧烷 旁链型分散红1键合聚甲基丙烯酸甲酯 反应离子刻蚀 聚合物电光调制器
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2011/8/10
选用价格低廉、介电性能良好、低传输损耗的聚二甲基硅氧烷作为波导的包层材料,旁链型分散红1键合聚甲基丙烯酸甲酯作为芯层,设计并制备了一种倒脊形聚合物波导马赫-曾德尔电光调制器及共面波导行波电极,获得了调制器的调制信号响应.针对SF6气体刻蚀聚二甲基硅氧烷的再淀积现象,提出了采用SF6和O2的混合气体对聚二甲基硅氧烷进行反应离子刻蚀的方法,发现当SF6∶O2流量比为50 sccm∶10 sccm时,刻...
利用有限时域差分法模拟金属-绝缘体-金属布喇格反射腔的窄带滤波现象,发现在一维亚波长金属-绝缘体-金属波导的共振波长对应的电场振幅分布的波腹位置上打上直角型凹槽时,可以产生光子禁带和导带,本文主要研究其导带的成因及出现位置.其中光子导带对应的中心波长出现在共振波长附近|调节凹槽的几何结构,采用双重金属-绝缘体-金属布喇格反射腔组合的结构,可以达到很好的窄带滤波效果,使导带的中心波长位于上述共振波长...
Kerr缺陷一维耦合腔光波导的双稳态方向性
耦合腔 光开关 光子晶体 Kerr效应
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2011/8/10
本文提出一种只在一层高折射率介质层中掺杂Kerr介质的一维耦合腔光波导.利用一维传输矩阵理论和非线性传输矩阵方法研究了此结构的光学双稳态.根据一维传输矩阵理论分析了此结构的线性特性,包括低频带边模的偏移及场分布的特点,讨论了此结构实现双稳态的原理.研究发现:由于缺陷层中场分布与入射光方向密切相关,而缺陷层光场的局域,将激发Kerr介质的三阶非线性效应,从而改变了缺陷层的折射率,所以不同方向的入射光...
ＵＶＢ诱导的大豆愈伤组织超弱光子辐射的动力学分析
超弱光子辐射 大豆愈伤组织 ＵＶＢ辐射 细胞状态参量
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2011/4/18
为了研究细胞超弱光子辐射的动力学特征及其所揭示的生物学意义，用２０μＷ／ｃｍ２ＵＶＢ
辐射大豆愈伤组织２ｈ，测定停止辐射后４ｄ内大豆愈伤组织在ＬＥＤ 光诱导下的延迟发光．通过建
立延迟发光动力学方程和数学拟合得到了大豆愈伤组织超弱光子辐射中的延迟发光积分强度、初
始光子数、衰减参数和自发发光，讨论了这些发光动力学参数的生物学意义．研究结果表明，在停止
ＵＶＢ辐射后的４ｄ内，大豆愈伤组织...
一维电-磁介质互联的光子晶体偏振带通滤波器
一维磁介质光子晶体 偏振滤波 异质结
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2011/12/19
传统一维纯电介质光子晶体较难实现TE偏振带通滤波,而且每种偏振滤波器的禁带很窄.本文基于不同电磁参量占主导地位控制不同偏振波禁带较宽的特性,利用一维光子晶体禁带带边交叉的方法设计了TE偏振滤波器、TM偏振滤波器和双偏振滤波器.每种滤波结构均为包含电介质和磁性材料的异质结,因此实现各种滤波的同时也展宽了禁带范围.由于电-磁介质互联,所设计的滤波器结构简单,均具备宽禁带、窄带通滤波特性.此外,利用已报...
采用电子束光刻和感应耦合等离子刻蚀等工艺,研制了一种基于绝缘硅材料的的微环谐振可调谐滤波器.滤波器微环半径为5 μm左右,波导截面尺寸为(350～500 nm)×220 nm不等.测试结果表明,波导宽度为450 nm时器件性能最为理想,其自由频谱宽度为16.8 nm,1.55 μm波长附近的消光比为22.1 dB.通过对微环滤波器进行热光调制,在21.4 ℃～60 ℃温度范围内实现了4.8 nm波...
基于slot波导的硅基长波红外偏振无关定向耦合器分析
长波红外波段 等比例放大原理 slot波导 偏振无关定向耦合器
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2011/12/20
硅基长波红外集成光电子器件是集成光学发展的一个新兴领域.阐述了利用等比例放大原理设计该波段下的slot波导的思路,分析了波导的限制因子、偏振特性等性质,并提出了工作波长为10.6 μm的偏振无关slot波导定向耦合器.
多波长激光发射光子集成技术
光子集成 激光器 多波长
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2013/8/28
针对光子集成芯片设计和制造中所面临的难点, 对多波长激光发射光子集成芯片中的多波长激光器阵列、单片集成, 芯片模块化耦合封装等核心技术进行了阐述. 利用重构等效啁啾技术, 二次压印模板技术, 大幅度放宽光子集成芯片对制备工艺中的苛刻要求, 降低了芯片制造成本; 通过端对接耦合技术和铟磷基阵列波导光栅技术, 解决了有源无源波导的单片集成问题; 建立了多端口分析模型, 实现了多参量动态特性的测试, 提...
Ir(Fppy)3掺杂PVK体系发光特性的研究
PVK Ir(Fppy)3 能量传递 蓝色磷光
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2012/4/17
对蓝色磷光材料Ir(Fppy)3不同浓度掺杂PVK薄膜的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性进行了研究。并制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK:Ir(Fppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al的蓝色磷光有机电致发光器件。实验结果发现，磷光材料掺杂浓度不同，器件发光特性不同。当Ir(Fppy)3掺杂浓度比较低时，EL光谱中可以观察到PVK较弱的发光;当Ir(Fppy)3掺杂浓度较高时，...
采用Ｌｉ３Ｎｎ型掺杂层作为电子注入层的ＯＬＥＤ器件研究
有机发光器件 氮化锂 ｎ型掺杂 电子注入层
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2011/4/20
相对于传统的无机半导体材料，有机半导体材料特别是有机电子传输材料的载流子浓度和迁移率较低,从而影响了有机发光器件的亮度、效率等性能．为了提高有机发光器件器件性能必须增强电子注入和传输力，对有机电子传输材料进行ｎ型电学掺杂能够有效地提高电子的注入和传输能力．本文利用Ｌｉ３Ｎ作为ｎ型掺杂剂，以掺杂层Ａｌｑ３∶Ｌｉ３Ｎ作为电子注入层，有效地提高了有机发光器件器件的性能，在掺杂浓度为５％，掺杂层厚度为１０...
研究了光子晶体作为陀螺谐振腔空间微镜的应用,基于平面波展开法计算了光子晶体能带结构和带隙分布图,利用时域有限差分方法对三角晶格介质柱结构微反射镜的传输特性进行了研究,讨论介质柱半径和晶格周期对反射率的影响,并给出优化结果和参量.对输入输出镜进行了初步探索设计,初步给出优化结构.基于介质柱光子晶体微镜的环形谐振腔不仅能实现单片集成还能实现光在空气中传输来大幅度减小克尔和法拉第效应,以及背向散射等影响...
Integrated Nonmagnetic Optical Isolators Based on Photonic Transitions
Integrated optical isolator nonreciprocal optics photonic transition refractive index modulation
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2015/8/10
Based on the effects of photonic transitions, here we show that a linear, broadband, and nonreciprocal isolator can be accomplished by spatial–temporal refractive index modulations that simultaneously...
Burst Switching for Energy Efficiency in Optical Networks
Networks Systems design
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2015/6/11
Energy consumption of electronic burst switching is modeled and compared to electronic packet switching in the network core and edge. It is shown that burst switching can provide significant energy sa...