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搜索结果: 1-15 共查到知识库 电子物理学其他学科相关记录175条 . 查询时间(2.25 秒)
准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)因其低成本和高电流传输能力而备受关注.但其主要问题在于无法很好地估计器件的反向特性,从而影响二极管的设计.本文考虑了GaN材料的缺陷以及多种漏电机制,建立了复合漏电模型,对准垂直GaNSBD的特性进行了模拟,仿真结果与实验结果吻合.基于此所提模型设计出具有高击穿电压的阶梯型场板结构准垂直GaNSBD.根据漏电流、温度和电场在反向电压下的相关性,分析了漏电机制和...
硫硒化锑薄膜太阳电池因其制备方法简单、原材料丰富无毒、光电性质稳定等优点,成为了光伏领域的研究热点.经过近几年的发展,硫硒化锑太阳电池的光电转换效率已经突破10%,极具发展潜力.本文针对硫硒化锑太阳电池中n/i界面引起的载流子复合进行了深入研究.发现硫硒化锑太阳电池的界面特性会受到界面电子迁移能力和能带结构两方面的影响.界面电子迁移率的提高能使电子更有效地传输至电子传输层,实现器件短路电流密度和填...
以钙钛矿为顶、晶硅为底的钙钛矿/硅叠层电池可以提高太阳光谱的利用率,突破单结电池中的肖克利极限(SQ极限),是实现更高光电转换效率的有效途径之一.如何降低光子在电池表面和界面的传输损失,最大化响应层的吸收效率是其中的关键.本文通过时域有限差分法和严格耦合波分析,系统研究了不同种类金属纳米球对钙钛矿/硅叠层电池的光谱响应和能量转换效率的增强机制.结果表明,由于表面电子云对光波的共振增强,金属纳米结构...
为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InPHEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InPHEMT外延结构材料。针对不同外延结构材料开展了1.5MeV电子束辐照试验,在辐照注量为2×1015cm–2条件下,并测试了InPHEMT外延结构材料二维电子气辐照前后的电学特性,获得了辐照前后不同外延结构InPHEMT材料二维电子气归一化浓度和电子迁移率随外延参数的变...
经典轨迹蒙特卡罗(CTMC)方法是研究离子-原子碰撞系统电荷交换过程的常用方法,广泛应用于天体物理以及实验室等离子体环境下重粒子碰撞过程的研究。本文利用四体碰撞模型(4-CTMC)研究了包括两个束缚电子的四体碰撞过程,通过数值求解四体碰撞系统的哈密顿运动方程,计算了高电荷态入射离子(Li3+,Be4+和O7+)同氦原子在大能量范围的单、双电子电离和俘获截面。H++He碰撞截面的计算中,在50—20...
采用基于粒子群优化算法的结构预测程序CALYPSO结合密度泛函理论的VASP软件包,预测得到二维BX(X=S、Se、Te)的最低能量结构,该结构是由B和X原子形成的双层褶皱的六角密堆积结构,层与层之间较强的B-B键是稳定结构的关键.凝聚能和声子谱计算结果表明二维BX(X=S、Se、Te)在热力学和动力学上均是稳定的.能带结构和电子态密度的计算分析发现三种二维材料均呈现间接带隙半导体行为,带隙分别为...
Nb3Sn卢瑟福电缆复合导体稳定性分析     核磁共振  复合导体  稳定性       font style='font-size:12px;'> 2022/3/24
超高磁场全身核磁共振成像仪能显著提高信噪比和空间分辨率,有助于对病人的诊断。超导磁体是超高磁场核磁共振成像仪的基础,而导体是超导磁体设备研制的关键技术之一。设计了一种基于Nb3Sn超导线的复合导体,本文对设计的复合导体建立一维失超传播模型,并对导体的失超传播特性进行了分析。分析结果表明:导体的最小失超能与扰动范围、扰动时长和运行电流有关;扰动能量越大,失超传播速度越快;运行电流越大,失超传播速度越...
有效学习丰富的表征信息在RGB-D目标识别任务中至关重要,是实现高泛化性能的关键。针对卷积神经网络训练时间长的问题,提出了一种混合卷积自编码极限学习机(HCAE-ELM)结构,包括卷积神经网络(CNN)和自编码极限学习机(AE-ELM),该结构合并了CNN的有效性和AE-ELM快速性的优点。它使用卷积层和池化层分别从RGB和深度图来有效提取低阶特征,然后在共享层合并两种模型特征,输入到自编码极限学...
为了简化采用满周期等相移算法的在线相位测量轮廓术(PMP)在实际测量过程中系统装调环节的繁杂程度,同时避免栅线方向和运动方向不严格平行引入附加相移降低解相精度,提出了基于最小二乘法迭代的在线三维检测方法。在测量过程中,任意栅线方向的正弦光栅被投影于物体表面,采用像素匹配技术获得不同时刻拍摄到的变形条纹图的等效相移条纹图,其相移量由投影系统和物体位移共同决定且为任意值。最后,采用最小二乘法迭代计算相...
在自加热效应下,对有、无AlGaInN电子阻挡层的两种发光二极管芯片进行了数值研究. 系统分析了芯片能带结构,载流子输运与分布特性,内部焦耳热和复合热特性,内量子效率衰落的物理机制. 并讨论了不同俄偈复合系数在自加热效应下对效率衰落效应的影响. 模拟结果表明:当在p-GaN层与活性层间插入AlGaInN电子阻挡层后,效率衰落效应得到显著改善,芯片结温明显升高. 俄偈复合热不是内热源的主要贡献,可忽...
聚类子阵划分及子阵级单脉冲测角性能分析     阵列信号处理  子阵划分  聚类分析  单脉冲  角度估计       font style='font-size:12px;'> 2013/11/20
在大型阵列天线的设计中,考虑到系统成本及复杂性,通常会采用子阵技术。然而,由于理论分析不足,工程中普遍接受的是较为简单的子阵划分,这种设计的缺陷制约雷达的整体性能。针对阵列雷达单脉冲技术,揭示了最优子阵划分与聚类问题的等价关系,建立了聚类算法求解最优子阵划分的理论基础,并推导了任意子阵划分下的单脉冲技术及其性能指标。聚类方法能够有效地获得最优的划分方案。通过数值实验,对所提方法以及经典的子阵列划分...
出了一种利用极化白化滤波器(polarimetric whitening filter, PWF)作为舰船检测器的新方法。首先,介绍了基于Wishart分布的马尔可夫随机场(Markov random field, MRF)分类问题,利用相似性参数和距离函数构造平滑项,有效地利用极化信息。在利用纳什均衡对分类进行优化时,对参数的选取使用了Fisher准则,优化分类结果。对于最终的检测器,利用PWF...
为了估计脉冲的到达时间和脉冲宽度,将图像处理领域的边缘检测思想应用于电子对抗中的脉冲信号检测问题,提出了一种基于盒差分(difference of boxes, DOB)滤波器的脉冲边沿检测算法。推导并给出了算法的基本流程,仿真分析了不同滤波器阶数和不同信噪比条件下的脉冲检测结果。仿真结果表明,该算法的检测性能优于能量检测算法,但检测采用的DOB滤波器大小不能大于脉内信号的采样点数。
结构变形对相控阵天线电性能的影响分析     有源相控阵天线  变形误差  电性能  耦合分析       font style='font-size:12px;'> 2013/11/19
分析阵面变形误差对有源相控阵天线(active phased array antenna, APAA)电性能的影响,对研究和发展高性能APAA非常重要。将阵面随机误差和阵面变形作为附加的相位因子引入到天线方向图函数中,建立了平面矩形APAA的阵面变形误差与电性能之间的结构〖CD*2〗电磁耦合模型,并仿真分析了阵面存在变形误差时的天线远场方向图。通过所提方法与结论,工程设计人员可对加工公差提出更合理...
为了克服隐马尔科夫模型(hidden Markov model, HMM)在训练时波氏(Baum-Welch, B-W)算法易陷入局部最优解的不足,采用多智能体遗传算法(multi-agent genetic algorithm,MAGA)对其进行参数估计,设计了染色体编码方法和遗传操作方式。利用Viterbi算法的状态估计和状态回溯能力对温控放大器进行状态监测和健康评估研究,仅需建立一个HMM,...

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