搜索结果: 1-15 共查到“知识库 半导体材料”相关记录125条 . 查询时间(2.836 秒)
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
font style='font-size:12px;'>
2024/3/5
碳化硅SiC（silicon carbide）具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
高可靠性氮化镓基半导体发光二极管材料技术。
先进半导体光伏材料、器件与表征技术研究
半导体 光伏材料 器件 表征技术
font style='font-size:12px;'>
2023/8/24
先进半导体光伏材料、器件与表征技术研究。
高可靠性氮化镓基半导体发光二极管材料技术及应用
氮化镓基 半导体 发光二极管
font style='font-size:12px;'>
2023/8/21
高可靠性氮化镓基半导体发光二极管材料技术及应用。
北京大学材料科学与工程学院新概念材料研究所科研成果（图）
北京大学 材料学院 新概念材料 科研成果
font style='font-size:12px;'>
2023/5/16
北京大学材料科学与工程学院王前教授课题组利用全新方法，发现了迄今最稳定的三电荷负离子结构。王前教授带领团队利用量子力学统计原理，创建了全新的计算机模型，并证明由元素硼与铍等组成的三电荷负离子，能在2.65电子伏特的冲击下保持稳定。研究人员将八电子规则和硼烷结构电子计数规则等化学原理结合，为设计其他三电荷负离子提供了全新思路。（原文链接：Colossal Stability of Gas-Phase...
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心科研方向紫外LED用AlGaN材料生长研究
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 科研方向 紫外LED AlGaN材料
font style='font-size:12px;'>
2022/10/4
半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以AlGaN合金为有源区的LED的发光波长能够覆盖210-400nm的紫外波段，是实现该波段深紫外LED器件产品的唯一理想材料。同时紫外LED具有其它紫外光源无法比拟的优势。
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心科研方向新型衬底GaN基材料的外延技术
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 科研方向 新型衬底GaN基材料的外延技术 GaN基材料
font style='font-size:12px;'>
2022/10/4
围绕130lm/w以及更高亮度的白光LED的研发目标，通过公关研究，初步建立从新型单晶制备、图形衬底设计加工以及新型衬底GaN基材料外延的技术平台，可以为高效、大功率、高亮度的LED白光照明不断提供新材料支撑技术；掌握各种新型衬底上外延高质量GaN材料的关键技术，成为具有国际一流水平的白光LED基础材料研发中心，为我国半导体照明产业发展提供创新型技术支持。
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室低维材料物性和器件效应
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 低维材料物性和器件效应 新型低维半导体材料
font style='font-size:12px;'>
2022/10/4
基于新型低维半导体材料的新奇物理性质，开展相关物性表征与器件效应研究。发展超低频拉曼光谱技术，研究低维量子体系中的声子物理和声子输运特性；研究低维材料的微纳光电器件；研究基于低维半导体的柔性电子器件，发展全柔性智能感知器件与系统集成。
中国科学院化学研究所宋延林课题组在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得新进展（图）
有机半导体单晶阵列 印刷制备单一取向 高性能光电器件
font style='font-size:12px;'>
2022/4/15
具有精确控制取向的有机半导体单晶阵列图案在高性能光电器件的制备与集成中具有重要意义。有机半导体单晶由于其固有的长程有序、无晶界和低缺陷密度等特点，已被广泛应用于光电器件构建。由于有机单晶中载流子的输运具有各向异性，可控取向有利于实现最佳的电荷输运性能，同时取向一致的单晶阵列有利于减少器件集成串扰与性能差异。然而，有机半导体晶体的成核和生长过程复杂，实现取向一致的有机半导体单晶阵列的图案化制备仍然具...
准一维电荷有序半导体(NbSe4)3I低温物性研究
(NbSe4)3I 准一维材料 拉曼散射 I-V曲线
font style='font-size:12px;'>
2022/3/15
近期,准一维电荷密度波（CDW）材料（TaSe4）2I的低温相被报道为轴子绝缘体〔Nature575,315（2019）〕,引起了广泛的关注。电荷有序半导体（NbSe4）3I与（TaSe4）2I属于同一个体系,晶体结构也表现为准一维的链状结构,低温下的物态值得进一步研究。本工作利用拉曼光谱和电输运测量实验方法对化学气相输运法（CVT）制备的高质量type-II（NbSe4）3I单晶样品进行了低温下...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心研究方向高质量半导体外延材料及单晶
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 研究方向 高质量半导体外延材料及单晶 半导体外延材料 单晶
font style='font-size:12px;'>
2022/10/4
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心主要对高质量的半导体外延材料和单晶的研制，针对国家“十三五”期间“大力发展磷化铟、碳化硅等下一代半导体材料”的战略需求，突破高纯红磷、高纯铟等高纯原材料制备的关键技术，实现了从磷化铟用高纯原材料到磷化铟单晶的国产化自主保障，为我国光电子器件的发展与应用提供了材料支撑。