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搜索结果: 1-15 共查到知识库 裂变堆屏蔽与防护相关记录17条 . 查询时间(2.303 秒)
RPV下封头熔融池换热特性数值模拟研究     熔融物堆内滞留  严重事故  熔融池       font style='font-size:12px;'> 2022/3/15
熔融物堆内滞留(In-vesselRetention,IVR)指的是在核电厂严重事故发生后,通过在压力容器和保温层间隙注入冷却水防止压力容器熔穿失效。本文基于COMSOLMultiphysics软件建立了一个流-热-固耦合计算模型,对IVR技术作用下的反应堆压力容器(ReactorPressureVessel,RPV)下封头双层熔融池的演变过程进行了仿真研究。当前模型计算结果表明:在稳态分层的状态...
矩形窄缝通道受热表面污垢沉积实验研究     失水事故  矩形窄缝通道  污垢沉积  微观形貌  传热       font style='font-size:12px;'> 2022/3/15
失水事故下堆芯余热排出时,板状燃料元件表面因冷却剂引入负溶解度盐杂质而发生污垢沉积,导致传热性能恶化甚至堵塞通道。为研究矩形窄缝通道内受热表面污垢沉积特性,设计搭建了一种采集矩形窄缝通道表面特定方位处污垢样品的实验装置,以碳酸钙作为可溶性杂质,对60mm×2mm截面的矩形窄缝通道受热面污垢沉积过程进行实验测试,观测通道不同位置、不同时间下污垢沉积的微观形貌特征,测量污垢厚度的分布特性,并探究污垢沉...
反应堆堆腔用中子屏蔽材料耐热性能研究     中子屏蔽材料  耐高温  反应堆堆腔  苯基硅树脂       font style='font-size:12px;'> 2022/3/21
针对第三代核电厂反应堆堆腔耐高温中子屏蔽需求,由于当前国内外的材料均无法满足设计要求,急需开发一种耐高温的中子屏蔽材料。本文以耐高温的苯基硅树脂及苯基含氢硅油为基体材料,以碳化硼粉末为中子吸收体,制备出一种耐高温中子屏蔽复合材料并着重探讨了复合材料的耐热性能及不同苯基含量的影响。热重分析(ThermalGravimetricAnalysis,TGA)研究表明:随着苯基含量的升高,复合材料的热失重逐...
一种压水堆CIPS风险评估方法     压水堆  CIPS  污垢特征  热工水力  硼沉积       font style='font-size:12px;'> 2022/3/18
功率运行期间,压水堆(PressurizedWaterReactor,PWR)一回路腐蚀产物在燃料组件沸腾区域发生沉积形成污垢(ChalkRiversUnidentifiedDeposit,CRUD)。当污垢增长到一定程度,会吸附冷却剂中的硼酸,造成燃料组件局部功率分布异常,进而引发垢致轴向功率偏移事件(CRUDInducedPowerShift,CIPS)。国际上通常基于污垢厚度评估CIPS风险...
10MW高温气冷堆屏蔽计算分析     屏蔽  高温气冷堆       font style='font-size:12px;'> 2009/7/24
高温气冷堆是第4代核能系统的重要堆型之一,由于其堆芯体积庞大、几何结构复杂,屏蔽计算难度较大。本工作使用三维SN程序TORT对10 MW高温气冷堆进行屏蔽计算,并用ANISN、MCNP程序进行校核。结果表明,TORT程序计算结果与ANISN、MCNP程序计算结果符合很好。
针对清华大学10 MW高温气冷堆模型进行MCNP程序的多群计算,多群数据库由DCL-75/BUGLE-80 库经适当处理得到,使用离散角近似和等概率阶梯函数法逼近实际角分布。计算结果与二维SN程序DOT的计算结果进行了比较,两者较为一致。
γ射线在水中绕圆柱形屏蔽体的散射      散射  屏蔽体  γ射线       font style='font-size:12px;'> 2008/12/24
用外包“过滤片”的CTC-6型薄壁β计数管,测量了各向同性Co~(6O)点源的γ射线在水中绕圆柱形屏蔽体散射到屏蔽体后的轴向剂量分布.结果表明:分布有峯值存在,当源的位置改变时,峯的位置也有小的移动.实验结果与两种理论计算进行了比较:(1)二次散射近似法的计算值与实验值的总趋势是一致的,但普遍低于实验值;(2)蒙特-卡罗-统计估计法的计算值与实验值基本上是符合的.实验与两种理论计算比较的结果都表明...
MCNP程序在ADS屏蔽计算中的应用      蒙特卡罗方法  加速器驱动的次临界系统  屏蔽计算        font style='font-size:12px;'> 2008/12/24
利用基于蒙特卡罗方法的MCNP程序计算了加速器驱动的次临界系统(ADS)中质子束管内的中子注量率分布以及通过质子束管顶端面和其它外表面逸出的中子注量率,得出了一些对ADS设计有意义的结论。
含硼轻材料屏蔽14.1 MeV中子的实验研究      中子衰变常数  屏蔽效果  含B4C聚乙烯        font style='font-size:12px;'> 2008/12/24
在零功率堆中子衰变常数(α常数)瞬态测量实验时,必须进行本底中子的屏蔽。利用理论计算和实验测定的方法,得到含B4C聚乙烯对D-T中子的屏蔽效果,并在此基础上,设计了探测屏蔽系统用于α常数的瞬态测量实验。测量结果与系统设计值相符,测量数据的信噪比与理论计算结果相吻合。
概述了阴影屏蔽法的操作步骤。对阴影屏蔽法所不能扣除的端墙面阴影部分A_0的γ反散射贡献进行了估算:当被刻度的仪器距端墙1.5m远时,端墙面阴影部分A_0的γ反散射贡献约为0.1—1%。对过阴影屏蔽与阴影屏蔽不足等若干影响因素分别进行了实验或讨论。
晶体中氘离子的库仑屏蔽问题      库仑屏蔽  冷聚变        font style='font-size:12px;'> 2008/12/24
一、引言 多家实验室曾报道晶体中可能存在冷聚变,但其作用机制并不清楚。由于实验结果的偶发性,我们认为其作用机制也应是偶发性的。它基本上有两个方面的可能性:偶然产生的强库仑屏蔽作用;偶然产生的氘核加速作用。在库仑屏蔽研究方面已有多篇论文发表,大都认为没有找到强库仑屏蔽机制的存在。但文献[4]却给出了极强的库仑屏蔽效应,其库仑屏蔽长度λ=0.05×10~(-8)cm。我们认为这一结果难以理解,因此本...
群截面与共振自屏蔽效应      群截面  共振自屏蔽效应  迭代  内插  外推  蒙特卡罗法        font style='font-size:12px;'> 2008/12/24
本文提出了一种计算群截面和考虑群截面共振自屏蔽效应的方法。利用这种方法,不但可以避免对加权通量(Weighting flux)作假定及在某些情况下对自屏蔽系数作计算,而且还避免作并群计算。本文利用此法对聚变堆再生区的中子输运问题进行了计算,结果是令人满意的
铁屏蔽T(d,n)~4He源的模拟结果分析      T(d,n)~4He  铁屏蔽       font style='font-size:12px;'> 2008/12/24
用MonteCarlo法模拟了用铁屏蔽T(d,n)4He快中子源时不同条件下的透射率随铁厚度的变化规律。研究了(n,2n)反应对快中子慢化的作用,使较低能量的中子产生了累积效应,并分析了反射中子二次进入屏蔽体时透射率的变化规律。推荐了多层屏蔽体的铁的适当厚度,与国外数据符合较好。
新奇的屏蔽实验      美国  屏蔽实验       font style='font-size:12px;'> 2008/12/24
在美国原子能委员会内华达试验场的一座高1527呎的塔形建筑物已经建造完工(图1)。此塔形建筑物将用来进行一系列武器效应实验。设计作为辐射源的无屏蔽反应堆预计在3月内装配完成。该反应堆最初叫做快中子爆发(脉冲)反应堆,而现称为保健物理研究用反应堆。反应堆将装设在升降机
用计算机分析辐射屏蔽效果      辐射屏蔽  计算机       font style='font-size:12px;'> 2008/12/24
用计算机分析辐射屏蔽效果。

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