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为提升现代单极型功率二极管的性能,进一步突破“硅极限”,通过加大传统JBS二极管中P+区结深,引入超级结结构以减薄芯片厚度,缓解传统单极型器件通态压降与反向阻断电压之间的矛盾,提高单位面积器件的导通电流密度。使用数值方法分析了超级结JBS二极管中P柱区浓度、N柱区宽度和N柱区浓度对正向导通特性以及反向阻断特性的影响,应用电场耦合效应理论分析了超级结JBS二极管的正向导通和反向阻断机理,设计了一款3...
多色焦平面列阵探测器用红外分光列阵滤光片。
低维系统红外光电子物理及其红外探测应用
低维系统 红外光电子物理 红外探测
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2023/9/5
低维系统红外光电子物理及其红外探测应用。
碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究
碲镉汞薄膜 光电跃迁 红外焦平面 材料器件
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2023/9/1
碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究。