搜索结果: 1-15 共查到“知识库 半导体材料”相关记录125条 . 查询时间(2.125 秒)
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
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2024/3/5
碳化硅SiC(silicon carbide)具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
先进半导体光伏材料、器件与表征技术研究
半导体 光伏材料 器件 表征技术
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2023/8/24
高可靠性氮化镓基半导体发光二极管材料技术及应用
氮化镓基 半导体 发光二极管
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2023/8/21
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/20235/16/20235161665790.jpg)
北京大学材料科学与工程学院新概念材料研究所科研成果(图)
北京大学 材料学院 新概念材料 科研成果
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2023/5/16
北京大学材料科学与工程学院王前教授课题组利用全新方法,发现了迄今最稳定的三电荷负离子结构。王前教授带领团队利用量子力学统计原理,创建了全新的计算机模型,并证明由元素硼与铍等组成的三电荷负离子,能在2.65电子伏特的冲击下保持稳定。研究人员将八电子规则和硼烷结构电子计数规则等化学原理结合,为设计其他三电荷负离子提供了全新思路。(原文链接:Colossal Stability of Gas-Phase...
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心科研方向紫外LED用AlGaN材料生长研究
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 科研方向 紫外LED AlGaN材料
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2022/10/4
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心科研方向新型衬底GaN基材料的外延技术
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 科研方向 新型衬底GaN基材料的外延技术 GaN基材料
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2022/10/4
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室低维材料物性和器件效应
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 低维材料物性和器件效应 新型低维半导体材料
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2022/10/4
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/20224/15/202241515361111.jpg)
中国科学院化学研究所宋延林课题组在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得新进展(图)
有机半导体单晶阵列 印刷制备单一取向 高性能光电器件
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2022/4/15
准一维电荷有序半导体(NbSe4)3I低温物性研究
(NbSe4)3I 准一维材料 拉曼散射 I-V曲线
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2022/3/15
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心研究方向高质量半导体外延材料及单晶
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 研究方向 高质量半导体外延材料及单晶 半导体外延材料 单晶
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2022/10/4