搜索结果: 106-120 共查到“电路理论”相关记录1760条 . 查询时间(0.843 秒)
SiC超结MOSFET设计基于N/P柱的电荷补偿效应,在保证耐压的同时具有较低的导通损耗和更快的开关速度,因此对SiC超结MOSFET可靠性的分析研究有助于深入理解器件工作机理,为更好地应用提供必要的理论支撑。基于TCAD Sentaurus模拟软件,对1 200 V电压等级的传统SiC MOSFET结构和SiC超结MOSFET结构进行建模。首先对比了2种器件的基本电学参数,然后重点分析了短路特性...
随着新能源发电技术的快速发展和电力电子化设备的规模化应用,电力电子化已成为新型电力系统的重要发展趋势。并网逆变器作为新能源接入电网的重要接口,其暂态稳定性对电力系统的稳定可靠运行尤为重要。并网逆变器具有多控制环耦合与强非线性的特征,因此建立其非线性数学模型是分析其暂态稳定性的重要基础。然而,已有的研究大多是基于小信号建模或只考虑单一控制环节的简化非线性建模,不能完全表征并网逆变器在大扰动条件下的暂...
基于三矢量的并网逆变器模型预测直接功率控制
并网逆变器 三矢量 模型预测直接功率控制 无差拍控制 功率脉动
font style='font-size:12px;'>
2024/3/12
并网逆变器采用双矢量模型预测直接功率控制策略时,存在输出电压矢量覆盖范围受限、并网电流谐波含量高、功率脉动大的问题。对此,提出了一种基于三矢量的并网逆变器模型预测直接功率控制策略,通过构建αβ坐标系下预测功率模型,在每个控制周期进行2次电压矢量选择,用相邻2个非零电压矢量和1个零电压矢量合成出期望电压矢量,使输出电压矢量方向与幅值均可调,同时对有功功率和无功功率进行无差拍控制,有效改善并网电能质量...
电网不平衡下并网逆变器的矢量比例积分控制
不平衡电网 PI-VPI控制器 并网逆变器 直接电流控制
font style='font-size:12px;'>
2024/3/12
当电网电压发生不平衡故障时,逆变器的输出电流会发生畸变。通过分析电网电压不平衡下逆变器的网侧数学模型,提出了一种基于矢量比例积分VPI（vector proportional integral）控制器的PI-VPI（proportional integral-vector proportional integral）控制策略。通过系统开环、闭环的Bode图对PI-VPI控制器性能进行分析,发现相比...
针对传统孤岛运行微电网存在运行不平稳的问题,提出基于先导节点选取下优化下垂控制的孤岛运行微电网负荷功率分配方法。首先通过导纳矩阵对电源端的电阻进行控制,给出各端口的电流及电压,得到先导节点选取矩阵相关的适应度函数,确定孤岛微电网先导节点。在此基础上,对直流电压与输出功率均值和传统下垂控制方法导致的电压跌落进行补偿,优化负荷功率的分配精度。实验结果表明,该方法可使母线电压恢复至平稳运行状态。
清华大学电机工程与应用电子技术系多门课程荣获“清华大学精品课程”称号（图）
电工技术 电子技术 电路原理
font style='font-size:12px;'>
2023/2/23
根据《清华大学精品课评选办法》，经院系初评、教务处和研究生院评审认定、学校教学委员会2022年第5次会议审议通过，共授予145个课（组）的177门本科生课程以及105门研究生课程“清华大学精品课程”称号（本科、研究生）。
在能源互联网建设中,DC/DC换流器是实现不同直流电压等级的可再生能源并网的必要环节,引起了广泛的研究。DC/DC换流器的体积、成本、动稳态性能和故障性能是其广泛应用的限制因素。为此,提出了一种并网端采用有源电流源换流器、分布式能源端采用电压源换流器的front-to-front混合DC/DC换流器,其中CSC和VSC交流侧采用高频率正弦波调制。
空间等离子体环境模拟与研究装置SPERF（Space Plasma Environment Research Facility）中,环向场TF（toroidal field）线圈用于磁重联实验,物理上要求该线圈的脉冲电流在80μs的时刻大于200 kA,这对脉冲电流源的整体设计、放电开关和放电测试等提出了较高的技术要求。研究TF线圈脉冲电流源的设计、关键技术和测试,以实现这种100μs量级的脉冲大...
高频电源可实现高频功率输出,其后再加特定装置产生磁场,用以研究高频磁场下水的特性变化。为了在宽功率范围实现移相全桥的零电压开关ZVS（zero-voltage-switching）,提高整机效率,在Boost-PWM与移相PWM双自由度控制的基础上提出一种基于模型前馈的控制方法。通过建立输出功率模型,加以模型前馈控制,结合闭环PI控制,不但可以保证输出功率满足要求和全功率范围内实现ZVS,还能够提...
针对传统移相全桥零电压开关ZVS（zero voltage switching）变换器存在的例如软开关范围受限、占空比丢失以及寄生振荡问题,提出了一种基于互补占空比调制的改进全桥ZVS直流变换器。通过引入并联辅助谐振网络以实现滞后桥臂开关宽范围的ZVS,选择较小的谐振电感以减少占空比丢失,引入原边钳位二极管网络以消除寄生振荡。详细阐明了工作原理与特性分析,并进行了仿真对比。结果显示,在20%负载条...
研究揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理（图）
碳纳米管器件 电路 单粒子效应机理
font style='font-size:12px;'>
2023/4/23
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能，是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
为了满足放电调节电路宽输入范围、高动态响应的要求，针对100 V母线电压的电源控制器放电调节器进行设计，提出基于精确小信号模型的电压电流双闭环控制环路设计方案。通过波特图和仿真分析验证控制回路的稳定性和合理性。最后给出了1.8 kW样机的实验结果，验证了理论分析的正确性。
提出了一种基于FGMOS晶体管的电压求和电流传送器的设计。通过对FGMOS晶体管的等效电路分析，得到其框图和等效电路，并设计了其电路结构。为了表明所提电压求和电流传送器的实用性，将提出的电压求和电流传送器用于实现受控振荡器和电压求和放大器；通过SPICE仿真结果表明，基于FGMOS的电压求和电流传送器不仅具有较高的线性特性，而且其电压传递增益和电流传递增益分别可达0.99和0.98，此外还有着很好...
应用GaN HEMT的宽输入堆叠半桥LLC变换器设计
氮化镓高电子迁移率晶体管 堆叠半桥 LLC 宽电压输入
font style='font-size:12px;'>
2024/3/15
对于航天发射系统中的地面支持设备与特种重型车辆，锂电池组等新兴供电单元的应用使得车辆母线电压不断提高。这种电压提升在提高电池组充放电速度的同时，也对辅助电源的输入电压范围提出了更宽的要求。同时，为了提高电源开关频率与设备效率，将氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT（gallium nitride high electron mobility transistor）器件引入到LLC变换器设计中。...
中国电力科学研究院主导修订的两项高压直流IEC标准发布
高压直流 IEC标准 发布
font style='font-size:12px;'>
2022/6/30
2022年6月1日获悉，中国电科院主导修订的两项国际电工委员会（IEC）标准《IEC62344：2022高压直流接地极通用设计导则》（简称直流接地极标准）和《IEC62681：2022高压直流架空输电线路电磁环境特性》（简称电磁环境标准）正式发布，标志着中国在高压直流输电领域的国际标准化工作取得了新的突破。