搜索结果: 16-30 共查到“电子科学与技术 GaAs”相关记录64条 . 查询时间(0.062 秒)
GaAs量子阱的能级分析
GaAs 量子阱 波函数
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2009/9/23
通过用Numerov方法求解Schrödinger方程计算了GsAs量子阱内的能级和波函数,详细地讨论了能级对各种参数——包括阱宽、势垒高度和外加电场的依赖关系。这些结果有助于GaAs/AlGaAs量子阱结构的光电性质研究和器件设计。
i-GaAlAs/GaAs HIGFETs器件参数的有限元分析
绝缘栅场效应晶体管 有限元分析 二维数值模拟
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2009/9/23
本文用有限元法对 i-GaAlAs/GaAs HIGFETs的稳态特性进行了二维数值模拟和分析。为了在有限内存的微机中,进行快速计算,在程序中,对边界条件,网格剖分和初值选取等方面进行了改进。使计算的收敛速度和精度有了提高。可方便地得到器件内部的电位和载流子浓度等物理量的二维分布。其输出特性和实验数据基本吻合。
一种新颖的具有HEMT和GaAs MMIC的Ku波段低噪声放大器
低噪声放大器 高电子迁移率晶体管（HEMT） 砷化镓单片微波集成电路（GaAs MMIC）
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2009/9/23
本文介绍了一种具有高电子迁移率晶体管(HEMT)和砷化镓单片微波集成电路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪声放大器。在11.7～12.2GHz频率范围内,该放大器的噪声系数小于1.9dB,相关增益大于27dB,输入和输出驻波比小于1.4。放大器第一级采用了HEMT和微波串联电感反馈技术,放大器未级采用了Ku波段GsAs MMIC。设计的关键是采用微波串联电感反馈方法同时获得最佳噪声和最小输入驻波...
GaAs-玻璃粘接阴极组件热辐射放气成份质谱分析
GaAs组件 玻璃粘接 热辐射除气
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2009/9/22
为解决负电子亲合势GaAs光电阴极电子发射灵敏度低的问题，运用质谱计对GaAs-玻璃粘接阴极组件在高温热辐射除气时的放气成份进行了分析, 获得了GaAs电子发射层原子级表面。结果表明：组件150℃为表面放气，450℃为材料体内放气，580℃为洁净表面获得温度，大于650℃ 时GaAs发射层面有As蒸发。这说明严格控制发射层表面洁净温度，是保证制备高性能阴极灵敏度的关键。
不同Cs、O电流比激活对GaAs光阴极灵敏度和稳定性的影响
光阴极灵敏度 光阴极稳定性 Cs-to-O电流比 光电流
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2009/9/22
鉴于不同的铯氧电流激活GaAs光阴极时会对激活过程和结果产生不同的影响，从而影响GaAs光阴极的灵敏度和稳定性。以固定铯源电流，改变氧源电流的方式获取不同铯、氧电流比，激活同类GaAs光阴极，得到了3组实验数据。对数据进行分析，结果表明：同类光阴极在相同条件下激活时，光电流出现的时间几乎一致，并且首个光电流峰值也非常接近；激活时ICs/IO=1.07是目前获得高灵敏度、高稳定性GaAs光阴极的最佳...
外电路参数对GaAs光导开关导通过程的影响
砷化镓 光导开关 闭合时间
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2010/2/21
通过研究不同外电路参数条件下半绝缘GaAs光导开关的输出电流波形的差异，分析了外电路电参数对GaAs光导开关导通过程和工作模式的影响。实验开关由600 μm厚的半绝缘GaAs晶片制成，电极间隙为12 mm。使用波长为1 064 nm,5.2 mJ的激光脉冲进行了开关的触发实验。使用皮尔森电流探头测量开关放电电流波形。实验发现储能电容、回路电感等外电路参数对开关放电电流波形存在决定性影响，回路电感影...
非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究
EL2 位错 AS沉淀
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2009/9/1
测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。
发射层厚度对反射式GaAs光电阴极性能的影响
GaAs光电阴极 量子效率 积分灵敏度
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2009/8/14
通过求解扩散方程,推导了含有后界面复合速率的反射式GaAs光电阴极量子效率公式,并利用MBE在GaAs (100)衬底上外延生长了发射层厚度分别为1.6 μm、2.0 μm和2.6 μm,掺杂浓度为1×1019cm－3的三个反射式GaAs阴极样品,进行了激活实验.实验结果显示:随着发射层厚度的增加,阴极的长波量子效率和灵敏度都有所提高,而这种提高与阴极电子扩散长度的增长有关.同时,理论仿真研究发现...
GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制
分子束外延 表面形貌 AFN
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2009/5/20
GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制。
原子氢辅助分子束外延GaAs（331）A表面形貌演化
原子氢 分子束外延 高指数面
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2009/2/8
研究了GaAs高指数面(331)A在原子氢辅助下分子束外延形貌的演化.原子力显微镜测试表明：在常规分子束外延情况下,GaAs外延层台阶的厚度和台面的宽度随衬底温度的升高而增加,增加外延层厚度会导致台阶的密度和台面的宽度增加然后饱和.而在原子氢辅助分子束外延情况下,当GaAs淀积量相同时GaAs外延层台阶的密度增大宽度减小.认为这是由于原子氢的作用导致Ga原子迁移长度的减小.在GaAs(331)A台...
Effects of Double Delta Doping on Millimeter and Sub-millimeter Wave Response of Two-Dimensional Hot Electrons in GaAs Nanostructures
Carrier mobility Delta doping Hot carriers Quantum wells
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2010/2/2
Carrier mobility has become the most important
characteristic of high speed low dimensional devices. Due to
development of very fast switching semiconductor devices, speed of
computer and communica...
中国科学院半导体所GaAs基长波长激光器研究取得重要进展
激光器 重要进展
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2008/12/17
中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的1.31微米波段GaAs基InGaAs异变量子阱激光器获得新进展，这种激光器采用GaAs基上生长的InGaAs异变(metamorphic)量子阱为有源区实现了1.33微米的室温连续激射，其阈值电流为目前已有报道的最好结果而受到国际关注。英国物理学会(IOP，UK)的Compound Semiconductor杂志在其Te c h n o l ...
GaAs集成电路CAD
CADGaAs 集成电路 计算机辅助设计
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2008/10/30
一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标：1.成果内容简介：该专题在SUN工作站上建立了面向用户的、多功能的MIMICAD和VHSICCAD整套实用化CAD系统。主要应用于微波集成电路、GaAs超高速集成电路(合称GaAsIC)的CAD设计；为“八五”期间的GaAsIC研制提供了精确的设计；进一步提高电路性能、降低成本、缩短电路研制周期。目前该成果已为200余种GaAsIC提供了设计依据。产生了明...
GaAs MESFET外延层中载流子浓度分布及漂移迁移率分布的实验测定
GaAs MESFET 载流子浓度 漂移迁移率
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2008/10/27
提出一种根据 C_g-V_g及 G_i-V_g关系测定 GaA: MESFET外延层中载流子浓度分布n(h)及漂移迁移率分布μ(h)的方法.给出了一些典型外延材料的实验结果.证明n(h)和μ(h)是表征外延层质量的两个重要的参数.并且发现:不同类型的迁移率分布对应于不同的栅电容弛豫.指出用稳态高频栅电容C_g~*-V_g关系求得的是表观载流子浓度分布n~*(h)和表观迁移率分布μ~*(h).它们同...
GaAs-AlGaAs双异质结（DH）外延片的位错检测
GaAs-AlGaAs 双异质结 外延片 位错检测
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2008/10/24
我们用熔融KOH作位错腐蚀剂,并用位错跟踪腐蚀的方法显示DH外延片的位错,结果表明,可以依照 DH外延片顶层(P~+-GaAs层)的位错腐蚀坑形状,区分出从 n-GaAs延伸上来的位错和由异质结外延引进的位错.