搜索结果: 31-45 共查到“电子科学与技术 GaAs”相关记录63条 . 查询时间(0.058 秒)
室温GaAs红外探测器
探测器 红外
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2008/10/8
该发明公开了一种基于平板电容随温度变化原理设计的室温GaAs红外探测器。该探测器的结构是：在GaAs衬底上，有一与GaAs衬底牢固结合的高掺杂Si GaAs平板电容下电极层，在下电极层与上电极层的一端头之间有一AlAs支撑层，支撑平板电容上电极层，使上电极层的突出部分被悬空，上电极层的材料为高掺杂Si GaAs。在上电极层上覆盖着一层Si_3N_4吸热层。当探测器的吸热层受到热辐射时，引起上﹑下电...
退火后无应变Ga1-xInxNyAs-y/GaAs量子阱的带隙
量子阱 带隙 退火
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2008/10/6
针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化,建立了热平衡态下Ga1-xInxNyAs-y合金中各二元化合键的统计分布模型.并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型中,对退火后的Ga1-xInxNyAs-y体材料带隙进行了计算.最后,利用讨论BAC模型中电子波函数边界条件的方法,计算了无应变Ga1-xInxNyAs-y/GaAs量子阱的带隙.
Ga1-xAlxAs/GaAs光阴极光谱响应向短波延伸的机理分析和实验研究
光谱延伸 Ga1-xAlxAs/GaAs 光阴极 光谱响应
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2008/9/27
为了实现光阴极光谱响应向短波延伸，分析了Ga1-xAlxAs/GaAs三代微光光阴极光谱响应向短波延伸的机理，提出了准禁带宽度的概念，讨论了Ga1-xAlxAs的禁带宽度随铝组份x值的增加而逐渐变宽的变化规律，计算了不同铝组份下光阴极光谱响应的短波限。通过提高光阴极材料的铝组份，做出了宽光谱响应像管，并给出了相应的光谱响应曲线。通过与标准三代微光像管光谱响应对比，发现：所得光谱响应曲线不仅向短波方...
GaAs微波单片集成电路
单片接收机 集成电路 微波集成电路 专用集成电路
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2008/9/24
成果内容简介：接收机共由4单元电路组成一低噪声放大器、混频器、介质振荡器(带缓放)和中频放大器。4种MMIC封装在JF14F型管壳内。各芯片所需电源由外部偏置电路从+9V和-6V分压得到。管壳、偏置电路及稳频介质块封装在61.4mm×38.4mm×35mm腔体内，射频输入和中频输出为SMA-K接头，组成一完整整收机。按《WD77型Ku波段GaAs单片接收机组件详细规范》规定接收机通过微波组件企业标...
一种平面型GaAs场效应晶体管
平面型 GaAs场效应 晶体管
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2008/9/24
本文提出了一种新的平面型砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAs MESFET)结构.阐述了用氧离子注入制作此种平面型器件的计算和实验结果.将制得的平面器件与通常的台武器件作了比较.看出平面型器件在微波特性和制作工艺上具有明显优点.
一种显示N~+-GaAs多种缺陷的阳极腐蚀法
N~+-GaAs 缺陷 阳极腐蚀法
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2008/9/24
本文描述一种电解液为KOH水溶液的阳极腐蚀法.通过与一些有效的缺陷显示化学腐蚀剂对照,证实此法能显示N~+-GaAs任何取向平面的生长条纹、位错和碟形坑等多种缺陷.这些碟形坑可能与存在于晶体中的层错环有关系.
一种提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法
量子点 发光效率 半导体材料
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2008/8/29
该发明公开了一种提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法，特征在于本发明提出的离子注入方法。该发明提出了直接将注入离子停留在量子点区域，同时选择了有效的质子注入和注入工艺条件，结合相应的快速热退火工艺，使得最终离子注入技术得以成功地提高量子点材料的发光效率。
用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究
光电导开关 半绝缘GaAs EL2能级 非本征吸收
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2008/4/28
报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲，触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量为1.9mJ的1 064nm Nd:YAG激光触发开关， 在偏置电压分别为3kV和5kV条件下，光电导开关分别工作于线性和非线性模式。用900nm半导体激光器和1 530nm掺铒光纤激光器分别进行触发实验，得到了重复频率分别为5kHz和20MHz的电脉冲波形。结果表明...
1.06μm连续与脉冲激光对GaAs材料的联合破坏效应
连续激光 脉冲激光 GaAs材料 破坏效应
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2008/4/12
通过1.06μm连续激光和脉冲激光联合破坏GaAs材料的实验研究, 给出了GaAs材料在三种不同的连续激光功率密度辐照下, 所需脉冲激光的破坏阈值, 结果表明, 联合破坏时所需脉冲激光的破坏阈值小于单独使用脉冲激光的破坏阈值。根据轴对称二维热模型, 计算了三种情况下连续激光辐照时GaAs材料的表面温度分布曲线及表面辐照中心处温升随辐照时间的关系, 并估算了其后作用的脉冲激光对材料的温升, 对实验及...
用MOCVD方法在GaAs衬底上低温生长ZnO薄膜
MOCVD ZnO薄膜 GaAs 低温
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2008/3/16
采用二乙基锌(DEZn)和水(H2O)作为生长源，利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法，在100~400℃低温范围内，在GaAs (001)衬底上制备了ZnO薄膜. 利用X射线衍射(XRD), 室温PL, AFM, SEM研究了薄膜的晶体结构特性、发光特性及表面形貌特性. XRD分析表明ZnO薄膜具有很强的c轴取向，(002)峰的FWHM平均值为0.3. .当生长温度达到400℃时从SEM...
半绝缘GaAs 光电导开关击穿特性研究
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2007/7/28
期刊信息
篇名
半绝缘GaAs 光电导开关击穿特性研究
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
施卫,田立强
第一作者单位
西安理工大学
刊物名称
半导体学报 （EI收录）
页面
出版日期
2004年
月
日
文章标识(ISSN)
0253-4177
相关项目
大功率超短电脉冲（ps）光电导开关微波源的研究
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GaAs Anisotropic Chemical Etching TENSOSIM
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2010/12/7
The analytical equation for the dissolution slowness surface of III–V crystals that belong to point group 4¯3 m is derived using a tensorial analysis of the anisotropic chemical dissolution...
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Direct Growth of High-Quality InP Layers on GaAs Substrates by MOCVD
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