搜索结果: 1-4 共查到“理学 6H-SiC”相关记录4条 . 查询时间(0.1 秒)
退火时间对6H-SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和结构的影响
石墨烯 6H-SiC 退火时间 RHEED AFM Raman NEXAFS
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2009/12/7
在分子束外延(MBE)设备中, 采用高温退火的方法在6H-SiC表面外延石墨烯, 并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响. 利用反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)等实验技术对制备的样品进行了表征. RHEED结果发现, 不同退火时间的样品在SiC衍射条纹的外侧都出现了石墨烯的衍射条纹. AFM测试表明,...
6H-SiC的A1(LO)拉曼峰低温温度特性研究
碳化硅 拉曼光谱 低温
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2009/11/2
对6H-SiC单晶体材料进行了从80到320 K的低温变温拉曼光谱测量，从实验得到的谱图上指认了部分6H-SiC的折叠拉曼峰，重点利用三声子模型和四声子模型分析了A1(LO)光学声子模峰位和线宽在低温下随温度的变化特性。实验发现，随着温度降低，LO声子模谱峰中心向高波数移动，线宽减小;同时发现当温度低于160 K时，无论是谱峰中心位置还是线宽的变化都趋于平缓，这是在常温和高温下观察不到的，说明在1...
6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性
量子阱 碳化硅 固源分子束外延 反射高能电子衍射 光致发光
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2010/1/12
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术, 在1350K的衬底温度下, 通过改变Si束流强度, 在6H-SiC(0001)面上外延生长6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜, 并用反射高能电子衍射(RHEED)与光致发光(PL)谱对生长的薄膜的晶型和发光特性进行表征. RHEED 结果显示生长的薄膜为6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜. 室温下He-Gd激光激...
6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
6H-SiC 多粒子蒙特卡罗研究 各向异性 漂移速度 平均能量 电子碰撞电离率
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2007/12/9
采用非抛物性能带模型,对6H-SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo)研究.研究表明：温度为296 K时,电子横向漂移速度在电场为2.0×104 V/cm处偏离线性区,5.0×105 V/cm处达到饱和.由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为1.95×107 cm/s,纵向为6.0×106 cm/s,各向异性较为显著.当电场小于1.0×106 V/c...