搜索结果: 1-15 共查到“物理学 Ce”相关记录15条 . 查询时间(0.354 秒)
稀土金属及其化合物中4f电子的局域与巡游性质导致了许多奇异的量子态，包括重电子态、混价行为、量子临界、非常规超导等。理解4f电子局域-巡游转变是理解这些物理现象的基础。由于4f电子的波函数通常非常局域，一般认为4f电子的巡游都来自多体的近藤效应，即4f电子与导带电子的杂化。而对于4f电子是否存在类似d电子的带宽调制下的巡游机制（即莫特物理），还缺乏直接的谱学证据。有理论指出，单质金属铈(Ce)中非...
Ce膜中的轨道选择Mott物理（图）
Ce膜 Mott物理
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2021/5/12
单质金属Ce中的γ-α相变伴随着4f电子的局域-巡游转变，其机理长期以来一直存在争议：一种图像认为相变源于4f电子自身的Mott转变，另一种则归因为4f电子与spd电子间Kondo杂化强度的变化。由于Ce元素化学活性很强，高质量的薄膜生长与谱学测量有很大的难度。
激发波长和带宽对Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃发光性质的影响
发光玻璃 LED芯片 激发波长 带宽
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2014/3/16
采用双高斯函数拟合不同中心波长和带宽的LED芯片光谱，并根据荧光分光光度计的测量结果推算不同LED芯片激发下的Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃的发射光谱和色温。结果表明，当芯片带宽不变，中心波长从370 nm右移到378 nm时，Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃色温逐渐下降。当芯片中心波长不变，带宽从10 nm增加到25 nm时，Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃的色温变化与中心波长有关。在芯片发光稳定的前提下...
PC/YAG：Ce荧光树脂的制备及光谱分析
白光LED 荧光树脂 YAG：Ce 聚碳酸酯
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2013/11/30
采用熔融共混法和高温压模法制备出PC/YAG:Ce荧光树脂片,样品经减薄和抛光处理后,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)、透射光谱等测试手段进行分析。厚度为0.87 mm的样品在500~800 nm范围内的透过率约为65%。样品主相为Y3Al5O12,在342 nm和448 nm有两个激发峰。样品的发射光谱在532 nm有一宽峰,属于Ce3+的5d→4f特征跃迁...
n+Ce140核反应数据的理论计算及分析
光学模型 HauserFeshbach理论 激子模型 统一的Haus
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2009/10/29
目的:为了获得中子入射Ce140核反应各种截面的理论计算值，以与现有的实验结果进行对照，并检验和完善所用的理论方法。方法:根据中子入射Ce140核反应的相关实验数据，用APOM94程序进行光学势自动调参，得到入射中子能量在0.01～20 MeV之间的一组合适的中子光学势参数。在此基础上，用DWUCK4程序计算了直接非弹性截面，用SUNF程序计算了各反应道的反应截面。结果:分别得到总反应截...
入射光参量对Ce∶KNSBN晶体中光扇效应的影响
Ce∶KNSBN晶体 光扇效应 入射光参量
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2009/8/13
采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,研究了入射光强度及光入射角对Ce∶KNSBN晶体中光扇效应的影响.结果表明,光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性,入射光强度阈值为38.2 mW/cm2.对应相同的入射光强度,光入射角θ为15°时稳态光扇强度Ifsat最强,如:入射光强度为38.2 mW/cm2时,Ifsat最大为0.7 mW/cm2;入射光强度为57.3 mW/cm2时,Ifsat最大为...
Ba(n,x)134Cs,134Ba(n,2n)133Ba,140Ce(n,2n)139Ce,142Ce(n,2n)141)Ce和23Na(n,2n)22Na反应截面的测量
活化方法 反应截面 (n,x)(n,2n)反应
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2009/7/9
用中子活化法相对于54Fe(n,P)54Mn反应,在13.50—14.80MeV中子能区测量了Ba(n,x)134Cs,134Ba(n,2n)133Ba,140Ce(n,2n)139Ce,142Ce(n,2n)141Ce和23Na(n,2n)22Na的反应截面.并将所测的结果和其他作者的结果进行了比较,中子能量是用90Zr(n,2n)89m+gZr反应和93Nb(n,2n)92mNb反应截面比法测...
(Sr,Ba)Al12O19∶RE3+(RE=Ce, Tb)的VUV发光及Ce3+→Tb3+的能量传递
磁铅矿型铝酸盐 Ce3+和Tb3+ VUV 能量传递
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2009/5/11
采用高温固相反应合成磁铅矿型(Sr, Ba)Al12O19∶RE3+(RE=Ce, Tb)发光材料，X射线衍射结果证明生成单一磁铅矿型结构。Ce3+产生302 nm的发射峰和340 nm左右的不太明显的肩，分别对应于5d→2F5/2和5d→2F7/2跃迁；激发光谱显示两个宽带峰，158 nm峰对应于基质吸收，260 nm峰是由4f-5d跃迁引起的。Tb3+的发射光谱显示特征的5D3→7Fj(j=2...
Mg2+对Ce:Fe:LiNbO3晶体光折变性能的作用和影响
Mg:Ce:Fe:LN晶体 光折变性能 红外光谱
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2008/3/16
在Ce(0.1wt%):Fe(0.08wt%):LN中掺进摩尔分数为（0.2%,0.4%,0.6%）的MgO,采用提拉法生长Mg:Ce:Fe:LN晶体.测试晶体的吸收光谱,Mg:Ce:Fe:LN晶体的吸收边相对Ce:Fe:LiNbO3晶体发生紫移,Mg(6%):Ce:Fe:LN晶体OH－吸收峰移到3 532 cm－1,研究OH－吸收峰移动机理.以二波耦合光路测试Mg:Ce:Fe:LN晶体的指数增益...
近化学计量比Ce∶Mn∶LiNbO3晶体光折变性能研究
Ce：Mn：LiNbO3晶体 晶体生长 指数增益系数
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2007/12/8
在LiNbO3中掺进0.015mass%MnCO3和 0.1mass%CeO2,以Czchralski法生长Li/Nb比为1.38的近化学计量比Ce∶Mn∶LiNbO3(Ce∶Mn∶SLN)晶体和Li/Nb比为0.946的同成分Ce∶Mn∶LiNbO3(Ce∶Mn∶CLN)晶体.测试了晶体的红外光谱和紫外可见吸收光谱,讨论了Ce∶Mn∶SLN晶体OH－吸收峰和吸收边移动机理.利用二波耦合光路测试了...
Ce∶BaTiO3中光折变光栅衍射效率上升现象及分析
非线性光学 暗衰减 光折变光栅 Ce:BaTiO3
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2007/12/8
在对Ce∶BaTiO3晶体进行双光束干涉光折变光栅暗衰减特性的实验研究中,发现了暗条件下光折变光栅归一化衍射效率长时间上升的异常现象：在e光偏振、大入射角度产生光折变光栅的实验中,衍射效率在长逾8 h的时间内持续上升.而在e光干涉、小入射角度和o光干涉时均未出现衍射效率长时间上升的现象.分析认为：由于自泵浦位相共轭光的产生和晶体中的两个深能级参与了光折变过程,形成了衰减速度不同、光栅方向垂直的两个...
泵浦光调制对Ce:KNSBN光折变晶体全息存储质量的改善
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2007/8/20
实验研究了泵浦光斩波、斩波占空比、斩波频率对两波耦合过程及光扇噪声的影响,结果说明斩波调制抑制了光扇噪声,Ce:KNSBN晶体体全息存储再现图像质量得到明显改善.
Ce:KNSBN晶体中的光扇效应及其图像存储
Ce:KNSBN晶体 光扇效应 阈值特性 图像存储
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2013/9/27
采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置, 以单束光入射Ce:KNSBN光折变晶体, 研究了入射光强度和光入射角对Ce:KNSBN晶体中光扇效应的影响. 研究发现, 光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性, 入射光强度阈值为38.2 mW/cm2; 对应相同的入射光强度, 光入射角θ 为15°时稳态光扇强度Ifsat最强. 研究了入射光调制对晶体中光扇噪声及体全息存储的影响, 入射光调制抑制了光扇噪声...
BaLiF3:Ce 3+纳米粒子的制备及其光谱特性
BaLiF3∶Ce3+ 微乳液 纳米粒子 光谱
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2010/1/19
BaLiF3属立方钙钛矿型复合氟化物, 作为高效闪烁晶体可用于热中子检测［1］. 由于其能带隙宽, 易于实现各种不同价态稀土离子掺杂, 可以获得许多可调谐性质, 因此它也是比较理想的光学功能材料的基质［2］. Ce3+激活的BaLiF3晶体作为紫外发射的短波固体激光材料和光放大材料的研究多有报道［3~5］
TSL-EPR Correlation Study of LaPO4 : Ce, Tb
Gamma irradiated LaPO4:Ce glow curves
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2010/4/13
Gamma irradiated TSL glow curves of laboratory made phosphor samples of LaPO4:Ce, Tb exhibited one intense peak around 408 K and two smaller peaks around 508 K and 613 K. The spectrum of the first glo...