搜索结果: 1-7 共查到“光谱学 ZnO”相关记录7条 . 查询时间(0.049 秒)
ZnO纳米颗粒中的表面态发射特性研究
ZnO纳米颗粒 时间分辨 表面态发射
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2010/2/4
研究了不同粒径ZnO纳米颗粒样品(17～300 nm)的时间光谱，通过对各粒径样品时间积分光谱的谱带结构进行高斯拟合解迭，发现光子能量位于ZnO谱带低能侧的高斯拟合成份Xc3的荧光中心波长随粒径的减小而红移，同时发光带的寿命也随之缩短。基于ZnO谱带低能侧的高斯拟合峰发光带强烈依赖于ZnO样品粒径的谱带特性，提出了与ZnO禁带内的表面态能级有关，同时研究表明，表面态在尺寸降到一定程度的纳米体系中起...
纳米ZnO镶嵌SiO2薄膜的磁控溅射制备和发光性质的研究
纳米ZnO 磁控溅射 吸收
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2009/10/28
采用射频磁控反应溅射方法在SiO2衬底上制备了纳米ZnO镶嵌SiO2薄膜。在室温下利用吸收光谱和光致发光光谱研究了样品的光学性质。发现吸收光谱随纳米ZnO尺寸的减小发生了明显的蓝移，表明随着ZnO尺寸的减小，量子尺寸效应增强，导致带隙展宽，吸收峰蓝移。光致发光光谱在387和441 nm附近出现了两个发光带，分析认为紫外发光来源于自由激子的辐射复合，而蓝色发光带来自于氧空位的电子到价带的跃迁，并用时...
ZnO∶V3+晶体光谱和电子顺磁共振谱的理论研究
光谱 电子顺磁共振谱 ]晶体场理论 ZnO∶V3+
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2009/5/8
采用强场耦合图像，建立了3d2电子组态在三角对称中的45×45能量矩阵，通过对角化完全能量矩阵的方法，计算出了ZnO∶V3+晶体的45条光谱能级和5个电子顺磁共振谱参量(零场分裂D，g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥, A⊥)，计算结果与实验数值能很好地符合。计算中还发现V3+杂质中心的局部结构与基质晶体的结构不一致，即V3+在ZnO中并不占据准确的Zn2+位置，而是沿c3轴方向位移一段距离ΔZ...
Eu3+掺杂Bi2O3-TeO2-B2O3-ZnO玻璃光谱性质
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2007/12/18
测量了Eu3+（1 mol%）掺杂(60-χ)Bi2O3-χ TeO2-30B2O3-10ZnO（χ＝5,10,20,30，摩尔百分比）玻璃的吸收光谱、发射光谱、激发光谱以及声子边带谱.根据稀土离子Eu3+光学跃起矩阵元的特点，从发射光谱获得了Eu3+光学跃起的J-O参数Ω2与Ω4.结果显示,强度参量Ω2随着Bi2O3量的增加与TeO2量的减少而减小，表明材料的对称性提高， Eu-O键强减弱，共价...
文章采用化学沉淀法制备纳米晶ZnO:Er3+粉体，所制备的纳米晶ZnO:Er3+粉体具有稀土离子特征强室温可见发射和近红外发射现象，且首次观测到纳米晶ZnO基质和稀土Er离子之间有有效的能量传递。
ZnO：Zn荧光材料的光电子时间分辨谱和荧光光谱
微波吸收 光电子 氧化锌
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2010/2/4
采用微波吸收法，测量了ZnO及ZnO：Zn荧光粉末材料受到超短激光脉冲激发后其导带电子的衰减过程，并测量了室温下荧光材料的吸收光谱和发射光谱。发现ZnO材料的光电子寿命为64 ns，而ZnO：Zn荧光材料的的光电子寿命为401 ns。分析认为ZnO：Zn寿命的延长是由于材料中缺陷结构的增加导致电子在导带上的弛豫时间变长。
Determination of Defect Distribution in a Ga-rich ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 Solar Cell by Admittance Spectroscopy
CIGS solar cell admittance spectroscopy defect distribution
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2010/4/12
This article presents a study on the energy distribution of defects in efficient thin film ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 heterojunction solar cell by the use of admittance spectroscopy. The capacitance spectra...