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搜索结果: 1-3 共查到晶体学 SiC相关记录3条 . 查询时间(0.015 秒)
化学气相反应法制备不同碳基体表面SiC涂层组织结构分析     C/C复合材料  石墨  抗氧化涂层  SiC       font style='font-size:12px;'> 2009/10/15
采用化学气相反应法, 以同种工艺分别在石墨和C/C复合材料表面制备了SiC涂层, 借助X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱分析等手段分析了涂层的微观结构, 研究了不同碳基体对SiC涂层结构和表面形貌的影响, 并初步对比考察了涂层的高温抗氧化性能. 结果表明: 制备的SiC涂层整体致密, 与基体结合良好, 但存在明显的结构差异. 石墨表面制得的SiC涂层呈梯度分布, 涂层主要由致密外层及...
α-SiC晶面上的配向附生体          font style='font-size:12px;'> 2007/12/13
研究α-SiC晶面的显微形貌时发现C面上有各种形状的α-SiC配向附生体。文中介绍了这些配向附生体的几何特征及其羣体在衬底晶面上的排列规律,讨论了附生体的生长条件,并认为这些附生体是生长后期的产物;其生长是由二维核化机理所控制,同时近似地估计了生长所需的临界过饱和度与临界晶核半径。最后介绍了在实验室生长这种配向附生体的某一次模拟试验的初步结果。
SiC晶体一维无序现象引起的异常衍射          font style='font-size:12px;'> 2007/12/12
SiC晶体一维无序现象引起的异常衍射。

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