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低能Co离子注入单晶ZnO的光致发光特性     Cu  Co  离子注入  ZnO  光致发光       font style='font-size:12px;'> 2009/11/18
采用离子注入法研究了Co离子注入ZnO晶体的光致发光效应。 对离子注入后的样品在Ar气保护下进行退火处理, 退火温度为700 ℃, 退火时间为10 min, 在其光致发光谱中观察到了406和370 nm的紫光发射峰。 对比了Co, Cu离子分别注入的ZnO晶体的光致发光谱, 观测到二者的光致发光谱类似。 同时, 研究了Co离子注入剂量对样品发光性质的影响, 结果表明随注入剂量的增加绿色发光中心逐渐...
改进的SILAR法制备ZnO薄膜及其表征     ZnO薄膜  SILAR法       font style='font-size:12px;'> 2009/10/28
采用一种改进的液相成膜技术——连续离子层吸附与反应(SILAR)法, 用锌氨络离子\[Zn(NH3)4\]2+ 溶液作为独立的前驱体溶液, 以载玻片为衬底, 在(125±5) ℃的温度下沉积出致密、 透明的ZnO薄膜。 分别用冷场发射型扫描电镜(FESEM)和X射线衍射(XRD)分析了薄膜样品的表面形貌和结晶状态, 用紫外可见分光光度计(UV-Vis spectroscopy)研究了薄膜样品的发光...

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