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“高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证”项目召开专题学术研讨会（图）
高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证 项目 专题学术研讨会
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2014/4/4
2014年3月26日，973计划“高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证”项目“材料生长理论与控制”专题学术研讨会在宁召开。973计划领域咨询组郑有炓院士，项目责任专家吕惠宾研究员，项目顾问组专家匡定波院士、方家熊院士，首席科学家兼课题负责人龚海梅研究员，项目专家组成员罗豪甦研究员和韩平教授，特邀专家“千人计划”闫锋教授及课题负责人缪国庆研究员、张永刚研究员、韦欣研究员及学术骨干...
上海技术物理研究所InGaAs/InP APD结构的SCM研究获进展
上海技术物理研究所 InGaAs/InP APD结构 SCM
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2009/11/26
近日，中国科学院上海技术物理研究所有关InGaAs/InP 雪崩二极管（APD）结构的扫描电容显微方法（SCM）研究工作发表在《应用物理快报》（Applied Physics Letters）上（59卷, 093506），该工作得到了技物所三期创新项目资助。
Evidence of the Miniband Formation in InGaAs/InP Superlattices
Superlattices Plasmons Raman scattering
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2010/9/25
The formation of the miniband electron energy structure was explored in doped InGaAs=InP superlattices with different periods. The analysis of the Raman data allowed us to conclude that in spite of th...