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ALD法生长HfO2薄膜材料的研究
薄膜材料 ALD生长
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2008/12/5
该项目利用Hf的醇盐做前驱体，在单晶Si衬底上制备了HfO薄膜材料，XRD结果显示薄膜已晶化；测试了薄膜I-V特性，发现其漏电流小于10mA/cm(±1V)；采用显微Raman光谱表征了薄膜界面态，初步计算其界面态密度小于1.5×10cm/Ev。该项目研究的第二个年度转向同样是HighK材料的钛酸锶（STO）薄膜材料的研究，同时开展了PMNT铁电薄膜材料的研究。