光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化 I. Al2O3膜应力测量与分析     光激发荧光谱术  Al2O3  残余应力  纳米       font style='font-size:12px;'> 2007/12/27

用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co-Cr-Al(Y)纳米涂层经1000, 1100和1200℃氧化后Al2O3膜中的残余应力, 获得如下结果: (1) 残余应力随氧化温度升高而增大; (2) 暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域; (3) 两种涂层1000℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大, 但在1100℃和1200℃下, 含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高. 对实验结...

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用双面氧化弯曲方法测定Al2O3膜生长应力      生长应力  弯曲法  蠕变  氧化  氧化铝膜        font style='font-size:12px;'> 2007/11/9

文章摘要： 提出了一种测定氧化膜生长应力的双面氧化弯曲方法, 经不象常规弯曲法那样为防止试样一个侧在发生氧化度制保护除层, 因而可用于较高温度及较长时间的氧化情况并可测定Ａｌ２Ｏ３膜的生长应力, 由于高温下合金及薄氧化膜发生蠕变, 从而释放膜内应力. 新方法应用于合金的蠕变数据, 并采用数值计算来获得氧化膜应力值.

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