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A field enhanced generation model for field emission P-type silicon           font style='font-size:12px;'> 2007/7/28
期刊信息 篇名 A field enhanced generation model for field emission P-type silicon 语种 英文 撰写或编译 作者 黄庆安,秦明 第一作者单位 刊物名称 IEEE Electron Device Lett 页面 1997,Vol.18,No.12 出版日期 1997年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 真空微电子微波三极管的理...

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