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HENDL1.1/MG数据库和VisualBUS1．0程序的临界基准计算与分析
HENDL1．1核数据库 VisualBUS1．0程序 临界基准实验
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2009/11/30
使用自主开发的一维输运／燃耗／可视化计算程序系统VisualBUS1．0和HENDL1．1／MG数据库，对^233U，^235U和^239Pu的热溶液临界球基准实验和^237Np，^241Am和^244Cm的金属快裂变临界球问题进行校核。和国际上广泛使用的各种程序和数据库的模拟计算结果以及相关实验结果进行综合对比和分析，初步验证了HENDL1．1／MG中裂变核素核数据的可靠性和应用性，同时也进一步...
0.70～2.48MeV质子在F和Mg上160°背散射截面测量
质子 F Mg 背散射截面
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2009/3/4
应用北京师范大学2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束，采用相对测量方法测量了0.70～2.48MeV宽能区质子在轻核F和Mg上160°（实验室坐标系）背散射截面。测量得到F、Mg各自对应能区的质子共振背散射截面数据，为含F、Mg轻元素的新型薄膜材料的高灵敏分析提供了实验数据。
用于等电子谱线法诊断电子温度的Mg/Si混合膜制备工艺研究
电子温度 复合靶 镁硅混合膜
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2009/1/8
进行了在单靶头磁控溅射装置上采用复合靶溅射制备Mg/Si混合膜的工艺研究 ,制备出了不同组分的Mg/Si混合膜 ,并利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM )、透射电镜 (TEM )等测试手段 ,对混合膜的结构进行了初步分析。分析结果表明 :Mg/Si混合膜中的镁以单取向多晶形式存在 ,硅以非晶形式弥散在镁的晶粒之间
中温电解制F_2过程中Mg添加剂对阳极极化的影响
Ｆ_２电解 阳极效应 Ｍｇ添加剂
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2008/12/31
采用Ｉ－Ｖ曲线法研究中温电解制Ｆ＿２时，阳极溶解Ｍｇ对碳阳极极化的影响。电解过程中阳极溶解的Ｍｇ的浓度达到一定值时，阳极临界电流密度将增加１个数量级。扩大试验结果表明，Ｍｇ添加剂具有抑制和消除阳极效应的作用。试验进一步证实，在大功率阳极处理和Ｍｇ添加剂间存在着抑制和消除阳极极化的协同作用。
自支撑Ｍｇ靶膜的制备
制备 Ｍｇ靶膜
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2008/12/16
用真空蒸发法成功制备了１７００～１９６１ μｇ／ｃｍ ２ 的薄自支撑 Ｍ ｇ 靶膜和９０～９５ μｍ 的厚自支撑 Ｍ ｇ 靶膜。甜菜碱是制备 Ｍｇ 靶膜有效的解离剂。讨论了真空蒸发制靶过程中的主要技术难点。