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0.70～2.48MeV质子在F和Mg上160°背散射截面测量
质子 F Mg 背散射截面
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2009/3/4
应用北京师范大学2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束，采用相对测量方法测量了0.70～2.48MeV宽能区质子在轻核F和Mg上160°（实验室坐标系）背散射截面。测量得到F、Mg各自对应能区的质子共振背散射截面数据，为含F、Mg轻元素的新型薄膜材料的高灵敏分析提供了实验数据。
用于等电子谱线法诊断电子温度的Mg/Si混合膜制备工艺研究
电子温度 复合靶 镁硅混合膜
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2009/1/8
进行了在单靶头磁控溅射装置上采用复合靶溅射制备Mg/Si混合膜的工艺研究 ,制备出了不同组分的Mg/Si混合膜 ,并利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM )、透射电镜 (TEM )等测试手段 ,对混合膜的结构进行了初步分析。分析结果表明 :Mg/Si混合膜中的镁以单取向多晶形式存在 ,硅以非晶形式弥散在镁的晶粒之间
自支撑Ｍｇ靶膜的制备
制备 Ｍｇ靶膜
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2008/12/16
用真空蒸发法成功制备了１７００～１９６１ μｇ／ｃｍ ２ 的薄自支撑 Ｍ ｇ 靶膜和９０～９５ μｍ 的厚自支撑 Ｍ ｇ 靶膜。甜菜碱是制备 Ｍｇ 靶膜有效的解离剂。讨论了真空蒸发制靶过程中的主要技术难点。