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MxZn1-xO(M=Cd,Ca)带隙调整机理研究
光电子学 晶体结构 电子结构
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2009/9/17
利用第一性原理方法研究了MxZn1-xO(M=Cd, Ca)合金的电子结构,阐述了M 掺杂ZnO
的带隙调整机理.研究表明,掺杂Cd 导致ZnO 禁带宽度下降,其机理是CdxZn1-xO 价带顶始终由
O2p 占据,而导带底部则由O2p、Cd5s 与Zn4s 杂化轨道控制,随着掺杂量x 的增加,导带底逐
步下降,出现红移效应.研究还表明,掺杂Ca 导致ZnO 禁带宽度增加,其机理是CaxZn...