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中国科学院上海微系统与信息技术研究所InP基无锑量子阱激光器和高铟组分InGaAs材料研究获进展（图）
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 InP基无锑量子阱激光器 高铟组分InGaAs材料
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2015/4/13
2-3微米波段半导体激光器和探测器在航天遥感和气体光谱检测等方面具有重要的应用。中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室研究人员通过对量子阱有源区和分子束外延生长条件的优化，成功研制出波长达2.9微米的激光器，这是当前国际报道的波长最长InP基无锑量子阱激光器。该工作已在Applied Physics Letters 杂志上发表并引起国际广泛关注，国际半导体领域行业杂志Sem...
InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层厚度设计与计算
标准InGaAs 转移电子光阴极 密度泛函理论
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2016/8/16
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算了InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层材料的电学结构和光学性质,交换关联能采用杂化泛函HSE06来描述。首先对闪锌矿结构GaAs材料能带图进行计算验证,接着建立标准InGaAs材料体结构模型,并对模型进行了动力学的自洽优化,在优化后的基础上进行了非自洽的计算,得到标准InGaAs材料的复介电函数,然后根据Kramers-Kronig关系推出标准I...
InP/InGaAs/InP红外光电阴极时间响应特性的模拟研究
红外光电阴极 In0.53Ga0.47As/InP 时间响应特性
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2016/9/2
文中理论研究了InP/In0.53Ga0.47As/InP异质结透射式红外光电阴极的时间响应特性，光谱响应范围1.0～1.7 μm。在场助偏压的作用下，模拟计算了光激发的电子在阴极内部的传输特性。模拟计算表明，光电阴极的响应速度随场助偏压的增大而加快；随光吸收层厚度的增大而减慢；随光吸收层掺杂浓度的增大，光电阴极的响应速度变慢。发射层厚度及掺杂浓度的增大都会使得阴极的响应时间加长。经过对阴极结构参...
上海微系统与信息技术研究所与技物所举办InGaAs探测器技术双边研讨会（图）
探测器技术 研讨会
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2011/11/30
短波红外波段在航天遥感等领域有重要应用, InGaAs探测器及其阵列已成为此波段的优选器件。为促进技物所和上海微系统与信息技术研究所在此方面的合作和推动技术发展， 12月25日两所科技人员在上海微系统与信息技术研究所举办了InGaAs探测器技术双边研讨会。技物所的方家熊院士、龚海梅副所长和上海微系统与信息技术研究所的赵建龙副所长、曹俊诚主任以及双方科技人员、科技处管理人员和研究生等十余人参加了研讨...
中国科学院微电子研究所研制成功面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管
双极型 晶体管
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2011/11/4
近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）金智研究员领导的课题组成功研制出面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。
3毫米波段InGaAs/InP双异质结双极型晶体管研制成功
毫米波频段 双极型晶体管
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2008/8/6
中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）金智研究员领导的课题组成功研制出面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。
毫米波频段是满足日益强烈的高精度探测及高速率数据通信要求的关键资源。继8毫米波段（26.5～40GHz）之后，3毫米波段（75～111GHz）成为世界各国高频技术竞争的制高点。基于固态半导体技术的毫米波单片集成电路（MMIC）由于具有体积小、重量...
国际著名期刊报道半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的InGaAs量子阱激光器最新成果
量子阱激光器 最新成果
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2008/3/4
近日，国际著名期刊Laser Foucs World(2008年44卷第2期)报道了中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的InGaAs量子阱激光器的最新成果，这种激光器采用GaAs基上生长的InGaAs异变(metamorphic)量子阱为有源区实现了1.58微米室温激射，这是迄今为止国际上GaAs基异变结构长波长激光器的最新进展，表明GaAs基InGaAs异变量子阱结构是制备1...
InGaAs/InP APD探测器光电特性检测
静态光电特性的自动测试系统 雪崩光电二极管 大面积APD 倍增因子
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2012/4/17
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明，该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151 nA，在直径500 mm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法，只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器，就可以获得开始倍增时的光电流，从而得到APD的倍增因子。通过...
On the Reliability of Accelerated Testing in AIGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs
PHEMT Stress
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2010/12/7
The study of different stress on device characteristics of AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs has been researched and developed in this report. Many catastrophic degradation mechanisms such as hot-electron, ga...
A New AlGaAs/GaAs/InGaAs Lasing Switch Grown by MBE
Quantum well optoelectronic switch (QWOES) Front slope efficiency
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2010/12/8
A quantum well optoelectronic switch (QWOES) based on regenerative loop of potential barrier lowering resulted from the forward biased pn junction is demonstrated in a AlGaAs/GaAs/InGaAs double hetero...
DC and AC Characteristics of GaAs/InGaAs/AIGaAS Real Space Transfer Transistors
NERFET MBE NDR a GaAs/InGaAs/AIGaAs negative resistance field-effect transistor
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2010/12/10
DC and AC performances of a GaAs/InGaAs/AIGaAs negative resistance field-effect transistor (NERFET) are demonstrated by molecular beam epitaxy (MBE) for the first time. The negative differential resis...
N-Channel InGaAs Quantum Well Lasing Thyristor (QWLT) Prepared by Molecular Beam Epitaxy
N-Channel InGaAs Quantum Well Lasing Thyristor (QWLT) Molecular Beam Epitaxy
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2010/12/10
N-channel lnGaAs quantum well lasing thyristors (QWLT) based on regenerative loop of potential barrier lowering resulted from the forward biased pn junction is demonstrated in a AlGaAs/GaAs double het...