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We present a comprehensive investigation of the low-ˉeld hole mobility in strained Ge and III-V (GaAs, GaSb, InSb and In1¡xGaxAs) p-channel inversion layers with both SiO2 and high-· insulators. ...
The ferroelectric large capacity memory that made direction of the spontaneous polarization of domain inversion correspond to binary values of a memory can be considered as one of the new devices adap...
Computer-Aided Numerical Inversion of Laplace Transform     Laplace transform  invariant networks  linear system       font style='font-size:12px;'> 2010/12/9
This paper explores the technique for the computer aided numerical inversion of Laplace transform. The inversion technique is based on the properties of a family of three parameter exponential probabi...

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