搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 PIN”相关记录15条 . 查询时间(0 秒)
Vishay新型硅PIN光电二极管，提高在生物医学应用中的灵敏
Vishay 硅PIN 光电二极管 生物医学
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2024/10/14
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型硅PIN光电二极管---VEMD8082，在可见/近红外波长下，该器件可为心率和血氧监测等生物医学应用领域提供更高的灵敏度。与前几代解决方案相比，最新推出的VEMD8082具有更高反向光电流、更低二极管电容以及上升和下降时间更快的特点。此外，器件体积小至4.8 mm x 2.5 mm x...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所成功研制自主可控的AIGaAs PIN 异质结毫米波单片开关芯片（图）
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 自主可控 AIGaAs PIN 异质结 毫米波 单片开关芯片
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2020/8/11
上海微系统所孙晓玮研究员团队联合杭州芯影科技有限公司、福联集成电路有限公司研制成功自主可控的AlGaAs PIN 异质结毫米波单片开关芯片，实现了国外同类产品的一对一替代。单刀双掷（SPDT）、单刀四掷（SP4T）的芯片，各项指标达到或各别指标优于国外同类芯片指标。特别是国内首次研制成功了自带偏置的同类型开关芯片。毫米波PIN开关具有切换时间短、隔离度高、插损小等特点，在毫米波成像仪、宽带开关阵列...
采用PIN二极管反馈的射频可变增益放大器
可变增益放大器 PIN二极管 小信号等效电路 锗硅异质结双极晶体管 射频
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2017/1/4
射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器的增益可控性通过改变负反馈支路中PIN二极管的正向偏压来实现.基于带有PIN二极管反馈的可变增益放大器的高频小信号等效电路,本文详细分析了增益可控机制,设计并制作完成了1.8GHz的可变增益放大器.测试...
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性
栅控 绝缘体上硅 光电探测器 光学特性
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2016/7/15
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器，是一种以SOI技术和互补金属氯化物半导体工艺为基础，综合SOI器件和传统双极、场效应光敏器件的新型光电探测器。利用半导体器件物理和基本方程，介绍和分析了器件结构及其工作原理，建立电压、电流物理模型。应用SILVACO器件仿真软件，完成器件的数值模拟与验证。在中短波长工作段，器件光电流随栅极电压的增大而增大，表现出明显的栅压控制特性。全耗尽状态下，器件的内部量...
Simulation of storage time versus reverse bias current for p+n and pin diodes
Reverse recovery pin diode semiconductor devices semiconductor devices simulation
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2011/3/22
In this study, the reverse-recovery behaviors of pin and p+n diodes were simulated as a function of the reverse current and carrier lifetime. For this purpose, a 1-D simulation program was written to ...
用于高能X光测量的Si-PIN阵列探测器
阵列探测器 高能X光 灵敏度 时空分辨直线感应加速器
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2010/4/7
设计了用于高能X光测量的小面积PIN硅光电二极管线列探测器，通过理论计算和EGSnrc蒙卡软件模拟分析了Si-PIN的探测灵敏度、线性电流和时间响应。根据理论研究可知，该探测器适用于大注量率、高能轫致辐射光的空间分辨力（3 mm）和时间分辨力（8 ns）的测量。并在理论设计的基础上进行了部分实验，采用小面积PIN硅光电二极管和放大电路，在“神龙一号”直线感应加速器上进行高能X光的测量,初步得到了P...
PIN限幅二极管结温对尖峰泄漏的影响
PIN限幅器 尖峰泄漏 Pspice模拟
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2009/8/24
建立了PIN二极管的Pspice子电路模型和热模型，模拟了PIN限幅器的瞬态特性。应用FORTRAN语言调用Pspice的仿真数据，计算了PIN二极管结温随输入脉冲变化的情况，讨论了PIN二极管的物理参数与温度的关系，结合结温的升高修改了Pspice软件中PIN二极管的子电路模型参数，模拟得到了不同结温下的瞬态响应曲线以及尖峰泄漏功率与脉冲频率、上升沿、结温的关系。模拟结果表明:输入脉冲的幅度越大...
大功率PIN二极管限幅器对电磁脉冲后沿响应的分析
大功率PIN二极管限幅器 PSpice模型 阶跃电磁脉冲
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2009/8/24
利用PSpice电路模型数值计算了阶跃电磁脉冲后沿作用下大功率PIN二极管限幅器的瞬态响应。发现大功率限幅器在阶跃脉冲后沿作用下会输出反向脉冲，其幅度可能与限幅器尖峰泄漏的幅值相当甚至更大，这可能是一种新的影响限幅器性能的安全隐患。分析发现:反向脉冲幅度在一定范围内随激励脉冲持续时间的增加、幅度的加大、后沿时间的变短而变大;随射频扼流电感值的增加而减小。
温度对PIN二极管限幅器功率响应特性的影响
PIN二极管 微波限幅器 功率响应特性
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2009/8/21
通过求解PIN二极管基区双极载流子扩散方程得到了限幅器Pspice等效电路模型, 根据PIN二极管物理参数与温度的关系, 数值计算得到了PIN二极管限幅器在多个温度点的功率响应特性, 发现温度的升高会使限幅器内部损耗增加, 加剧限幅器内部热损伤。并利用恒温控制系统进行了实验验证, 实验结果与数值计算结果相符合。实验还发现高温热冲击可能使限幅器限幅能力大幅下降, 可能成为通信系统的重大安全隐患。
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PIN二极管的高功率微波响应
二极管限幅 高功率微波 截止频率
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2008/5/23
利用自行编制的半导体器件模拟程序mPND1D(采用时域有限差分方法，求解器件内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组)，对PIN二极管微波限幅器在高功率微波激励下的响应进行了计算，比较了不同条件下的计算结果，并对二极管微波响应截止频率作了探讨。计算结果表明:随着激励源幅值的升高，器件截止频率增大；随着脉冲长度减小，器件截止频率降低；随着器件恒定温度值升高，截止频率下降。
New Results on Bandwidth of GaAs PIN Photodiodes
GaAs PIN Photodiodes the circuit
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2010/12/15
In this paper an equivalent circuit of a GaAs PIN photodiode for the millimeter wave range is proposed. Moreover, an approximate expression for the bandwidth of this circuit is obtained. By using the ...
Some Results on PIN and ITO Photodiodes
PIN ITO Photodiodes the equivalent circuit
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2010/12/16
In this paper, various contributions concerning generalized photodiodes and ITO photodiodes are reported. In particular, calculations related to the bandwidth of the equivalent circuit ot a PIN photod...
Plasma-Optical Effect in GaAs PIN Photodiodes
Plasma-Optical Effect GaAs PIN Photodiodes
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2010/12/16
This paper is devoted to the analysis of the Plasma-Optical Effect in GaAs PIN photodiodes operating at the infrared range. An approximated expression for the variation of the refractive index in the ...
Analysis of Multi-Pin Modular Daughterboard-to-Backplane Connectors at High Bit Rate Signals
Models for connectors High bit rate connectors Standard Euro connectors Teradyne HD + 1 connectors Teradyne HD + 2 connectors
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2010/12/16
A theoretical model for the electrical characterization of multi-pin modular daughterboard-to-backplane connectors at high bit rate signals is developed. The fundamental field equations are transforme...
Design of a 108 Pin VLSI Package With Low Thermal Resistance
a 108 Pin VLSI Package Low Thermal Resistance
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2010/12/27
The design of a 108 pin VLSI package is described. The package has low thermal resistance and can, therefore, dissipate 4 watts of power. The package design is now being used commercially in high-end ...