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中国科学院微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破（图）
中国科学院微电子所 6500V超高压 IGBT研制 重要突破
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2011/10/20
中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT（沟槽栅场截止型）产品，在国际知名晶圆代工厂“华虹NEC”8吋制造工艺平台上首轮流片顺利完成，测试结果显示阻断电压达7100V以上，符合原定设计目标。该阶段性成果标志着微电...
微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破（图）
微电子所 研制 突破
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2011/10/28
中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT（沟槽栅场截止型）产品，在国际知名晶圆代工厂“华虹NEC”8吋制造工艺平台上首轮流片顺利完成，测试结果显示阻断电压达7100V以上，符合原定设计目标。该阶段性成果标志着微电...
微电子所1700V IGBT研制首次流片取得突破（图）
1700V IGBT研制 流片 突破
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2011/10/28
近期，由中国科学院微电子所硅器件与集成技术研究室(一室)朱阳军副研究员带领的IGBT团队在1700V IGBT研制方面取得了突破性进展。
中国科学院微电子研究所1700V IGBT研制首次流片取得突破
中国科学院微电子研究所 1700V IGBT研制 流片
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2011/6/2
近期，由中科院微电子所硅器件与集成技术研究室(一室)朱阳军副研究员带领的IGBT团队在1700V IGBT研制方面取得了突破性进展。
微电子所成功研制国内首款可产业化的IGBT芯片（图）
可产业化 芯片
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2011/11/4
日前，由中国科学院微电子研究所设计研发的15-43A /1200V IGBT系列产品（采用Planar NPT器件结构）在华润微电子工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，部分性能优于国外同类产品。这是国内首款自主研制可产业化的IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品，标志着我国全国产化IGBT芯片产业化进程取得了重大突破，拥有了第一条专业的完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线。
中国科学院微电子研究所成功研制国内首款可产业化IGBT芯片（图）
中国科学院 国内首款 IGBT芯片
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2010/4/2
日前，由中国科学院微电子研究所设计研发的15-43A /1200V IGBT系列产品（采用Planar NPT器件结构）在华润微电子工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，部分性能优于国外同类产品。这是国内首款自主研制可产业化的IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品，标志着我国全国产化IGBT芯片产业化进程取得了重大突破，拥有了第一条专业的完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线。