搜索结果: 1-7 共查到“光电子学与激光技术 GaAs”相关记录7条 . 查询时间(0.062 秒)
发射层厚度对透射式GaAs光电阴极表面光电压谱的影响
GaAs光电阴极 表面光电压谱 电子扩散长度 发射层厚度 后界面复合速率
font style='font-size:12px;'>
2011/12/19
通过求解一维稳态少子扩散方程,推导了含有后界面复合速率和发射层厚度的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程.通过对发射层厚度分别为1.6 μm和2.0 μm,掺杂浓度为1×1019 cm－3的GaAs透射式阴极样品测试,理论曲线和实验曲线基本一致.通过引入表面光电压谱积分灵敏度公式,仿真探讨了表面光电压谱在一定体材料参量条件下,积分灵敏度受发射层厚度的影响|发现在体材料参量一定条件下,透射式G...
GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳污染的去除
光电发射材料 UV/O3法 AES表面分析
font style='font-size:12px;'>
2010/5/6
本文以UV/O3法去除GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳的污染,实验给出不同的结果并给予解释。
发射层厚度对反射式GaAs光电阴极性能的影响
GaAs光电阴极 量子效率 积分灵敏度
font style='font-size:12px;'>
2009/8/14
通过求解扩散方程,推导了含有后界面复合速率的反射式GaAs光电阴极量子效率公式,并利用MBE在GaAs (100)衬底上外延生长了发射层厚度分别为1.6 μm、2.0 μm和2.6 μm,掺杂浓度为1×1019cm－3的三个反射式GaAs阴极样品,进行了激活实验.实验结果显示:随着发射层厚度的增加,阴极的长波量子效率和灵敏度都有所提高,而这种提高与阴极电子扩散长度的增长有关.同时,理论仿真研究发现...
中国科学院半导体所GaAs基长波长激光器研究取得重要进展
激光器 重要进展
font style='font-size:12px;'>
2008/12/17
中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的1.31微米波段GaAs基InGaAs异变量子阱激光器获得新进展，这种激光器采用GaAs基上生长的InGaAs异变(metamorphic)量子阱为有源区实现了1.33微米的室温连续激射，其阈值电流为目前已有报道的最好结果而受到国际关注。英国物理学会(IOP，UK)的Compound Semiconductor杂志在其Te c h n o l ...
用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究
光电导开关 半绝缘GaAs EL2能级 非本征吸收
font style='font-size:12px;'>
2008/4/28
报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲，触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量为1.9mJ的1 064nm Nd:YAG激光触发开关， 在偏置电压分别为3kV和5kV条件下，光电导开关分别工作于线性和非线性模式。用900nm半导体激光器和1 530nm掺铒光纤激光器分别进行触发实验，得到了重复频率分别为5kHz和20MHz的电脉冲波形。结果表明...
1.06μm连续与脉冲激光对GaAs材料的联合破坏效应
连续激光 脉冲激光 GaAs材料 破坏效应
font style='font-size:12px;'>
2008/4/12
通过1.06μm连续激光和脉冲激光联合破坏GaAs材料的实验研究, 给出了GaAs材料在三种不同的连续激光功率密度辐照下, 所需脉冲激光的破坏阈值, 结果表明, 联合破坏时所需脉冲激光的破坏阈值小于单独使用脉冲激光的破坏阈值。根据轴对称二维热模型, 计算了三种情况下连续激光辐照时GaAs材料的表面温度分布曲线及表面辐照中心处温升随辐照时间的关系, 并估算了其后作用的脉冲激光对材料的温升, 对实验及...
A New AlGaAs/GaAs/InGaAs Lasing Switch Grown by MBE
Quantum well optoelectronic switch (QWOES) Front slope efficiency
font style='font-size:12px;'>
2010/12/8
A quantum well optoelectronic switch (QWOES) based on regenerative loop of potential barrier lowering resulted from the forward biased pn junction is demonstrated in a AlGaAs/GaAs/InGaAs double hetero...